Методическое пособие по лабораторной работе "Формирование и регистрация радиоголограмм простейших объектов". Часть 6. Струков И.Ф. - 7 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

7
зависимость
D
от
lg
экспозиции -
E
для пленок разного контраста имеет
примерный вид (рис.3).
E
- экспозиция – энергия, приходящая на
Рис .3
единицу площади в каждой точке светочувствительной поверхности , причем
constT
E
=
, где
T
- время экспозиции
3. Коэффициент контрастности
γ
пленки – наклон прямолинейного участка
кривой почернения.
Когда фотопленка используется в качестве одного элемента когерентной
оптической системы , то ее следует рассматривать как элемент
обеспечивающий:
1) преобразование интенсивности света
E
, действующего при
экспозиции, в комплексную амплитуду света
yxU ,
&
, проходящего
через пленку после проявления или
2) преобразование комплексной амплитуды света
yxU
пад
,
&
,
действовавшего при экспозиции, в комплексную амплитуду света
yxU ,
&
, проходящего через пленку после проявления.
Второй случай имеет место, когда проявленная пленка освещается
когерентной волной.
Так как , согласно обеим точкам зрения, комплексная амплитуда света,
прошедшего через пленку, служит параметром когерентной системы , то
пропускание диапозитива необходимо описывать с помощью комплексного
амплитудного коэффициента пропускания -
t
&
. При этом
t
&
определится как
τ+ - т.е. как положительный корень из коэффициента пропускания по
интенсивности
E
.
Для большинства практических приложений, в том числе и для голографии,
желательно , чтобы реакция пленки на комплексную амплитуду
yxU
пад
,
&
соответствовала квадратичному закону . Этого легко достичь как для
негативных, так и позитивных диапозитивов, если вместо кривой почернения
-
D
построить непосредственно график зависимости амплитудного 
                                              7


зависимость D от lg эк сп озиции - E для п ленок разного к онтрастаимеет
п римерны й вид(рис.3). E - эк сп озиция– энергия, п риходящ аяна




                                            Рис.3

единицу п лощ ади в к аж дой точк е светочувствительной п оверхности, п ричем
 E = constT , где T - времяэк сп озиции
3. К оэф ф ициент к онтрастности γ п ленк и – наклон п рямолинейного участк а
к ривой п очернения.
      К огдаф отоп ленк аисп ользуетсявк ачестве одного элементак огерентной
оп тическ ой системы , то ее следует рассматривать к ак элемент
обесп ечиваю щ ий:
    1) п реобразование интенсивности света E , действую щ его п ри
        эк сп озиции, в к омп лек сную амп литуду света U& (x, y ) , п роходящ его
        через п ленк у п осле п роявленияили
    2) п реобразование             к омп лек сной     амп литуды      света   U& п ад ( x, y ) ,
        действовавшего п ри эк сп озиции, в к омп лек сную амп литуду света
        U& (x, y ) , п роходящ его через п ленк у п осле п роявления.
В торой случай имеет место, к огда п роявленная п ленк а освещ ается
к огерентной волной.
      Т ак к ак , согласно обеим точк ам зрения, к омп лек сная амп литудасвета,
п рошедшего через п ленк у, служ ит п араметром к огерентной системы , то
п роп уск ание диап озитиванеобходимо оп исы вать с п омощ ью к омп лек сного
амп литудного к оэф ф ициентап роп уск ания - t& . П ри этом t& оп ределится к ак
+ τ - т.е. к а         к п олож ительны й к орень из к оэф ф ициента п роп уск ания п о
интенсивности E .
Д ля большинствап рактическ их п рилож ений, в том числе и для голограф ии,
ж елательно, чтобы реакция п ленк и на к омп лек сную амп литуду U& п ад (x, y )
соответствовала к вадратичному зак ону. Э того легк о достичь к ак для
негативны х, так и п озитивны х диап озитивов, если вместо к ривой п очернения
- D п остроить неп осредственно граф ик зависимости амп литудного

Страницы