Вакуумная и плазменная электроника. Светцов В.И. - 58 стр.

     2. Чувствительность магнитного отклонения пропорциональна 1 / U A
и, следовательно, уменьшается с ростом анодного напряжения медленнее,
чем чувствительность электростатического отклонения.
     Отметим, что приведенные выше формулы справедливы при малых
углах отклонения.

 3.7. Некоторые особенности электронной оптики интенсивных пучков

     В рассмотренных выше электронно-оптических системах действие
объемного заряда не учитывалось, что справедливо для электронных пучков
малой плотности. Однако в ряде электронных приборов (например, приборах
СВЧ) используются пучки высокой интенсивности, и действие
пространственного заряда необходимо учитывать.
     Степень влияния объемного заряда в электронном пучке оценивается
его характеристической проводимостью или первеансом:
     Р = j/U3/2                                                   (3.23)
     где j - ток пучка, U - пройденная электронами разность потенциалов.
Ясно, что с увеличением j и уменьшением U взаимодействие электронов
будет все более заметным. Если первеанс пучка не превышает 10-9 А/В3/2, то
действием объемного заряда в поле можно пренебречь. При Р> 10-8 А/В3/2
действие пространственного заряда необходимо учитывать. Такие пучки
считаются интенсивными и для их рассмотрения совершенно недостаточно
аппарата обычной электронной оптики. Более того, применение таких
понятий электронной оптики, как фокусировка, электронно-оптическая
система и другие по существу теряют свой смысл и могут применяться лишь
условно. Правильно использование таких терминов как формирование пучка,
система формирования и т.д.
     Пример системы формирования интенсивного электронного пучка
(пушка Пирса) приведен на рис. 3.15.
     На практике встречаются интенсивные пучки самой различной
конфигурации: цилиндрические, трубчатые, ленточные, которые могут быть
параллельными или сходящимися (клиновидными).




                         Рис. 3.15. Пушка Пирса



                                    58