Вакуумная и плазменная электроника. Светцов В.И. - 57 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

57
Рис. 3.14. Схема магнитного отклонения электронных пучков.
Электрон, попавший в магнитное поле, будет испытывать силу,
действующую вдоль оси Y вверх и отклоняться в этом направлении, двигаясь
по окружности. Радиус этой окружности выражается формулой
eB
mv
R = (3.17)
При выходе из области действия поля электрон, отклонившись на
некоторую величину Y, будет двигаться по прямой, направленной под
некоторым углом α по отношению к оси z, и полное отклонение на экране,
как и в случае электрического поля, можно будет записать в виде
D = Y + l ⋅tgα (3.18)
Из рисунка следует, что Y = R - R cosα, и если α мало, то
Y = R⋅α
2
/2 и α = sinα = tgα = a/R. (3.19)
Подставляя это в выражение для полного отклонения луча можно
получить
vm
aeBL
l
2
a
mv
aeB
D =
+= (3.20)
где L = а/2 + l - расстояние от центра отклонения до экрана.
Выражая скорость электрона через ускоряющее напряжение, найдем:
m2
e
U
aLB
D
a
= (3.21)
Чувствительность магнитного отклонения может быть определена как:
m2
e
U
aL
B
D
a
==σ (3.22)
Основные закономерности магнитного отклонения:
1. Чувствительность при магнитном отклонении зависит от заряда и
массы частиц. 
      Рис. 3.14. Схема магнитного отклонения электронных пучков.

     Электрон, попавший в магнитное поле, будет испытывать силу,
действующую вдоль оси Y вверх и отклоняться в этом направлении, двигаясь
по окружности. Радиус этой окружности выражается формулой
          mv
     R=                                                           (3.17)
          eB
     При выходе из области действия поля электрон, отклонившись на
некоторую величину Y, будет двигаться по прямой, направленной под
некоторым углом α по отношению к оси z, и полное отклонение на экране,
как и в случае электрического поля, можно будет записать в виде
     D = Y + l ⋅tgα                                               (3.18)
     Из рисунка следует, что Y = R - R cosα, и если α мало, то
     Y = R⋅α2/2 и α = sinα = tgα = a/R.                           (3.19)
     Подставляя это в выражение для полного отклонения луча можно
получить
          aeB  a  aeBL
     D=         + l =                                           (3.20)
          mv  2         vm
     где L = а/2 + l - расстояние от центра отклонения до экрана.
     Выражая скорость электрона через ускоряющее напряжение, найдем:
          aLB e
     D=                                                           (3.21)
            U a 2m
     Чувствительность магнитного отклонения может быть определена как:
          D     aL      e
     σ= =                                                         (3.22)
          B      U a 2m
     Основные закономерности магнитного отклонения:
     1. Чувствительность при магнитном отклонении зависит от заряда и
массы частиц.

                                   57

Страницы