Вакуумная и плазменная электроника. Светцов В.И. - 56 стр.

     dY              aU
         = tgα =                                                  (3.14)
      dZ            2dU a
     Тогда из уравнения (10)
             a⋅U
     D=L                                                          (3.15)
            2d ⋅ U a
     где L - расстояние от экрана до точки в середине отклоняющего поля,
называемой обычно центром отклонения.
     Отклоняющее          действие пластин     обычно     характеризуется
чувствительностью (величиной отклонения, приходящейся на 1 В
отклоняющего напряжения). Чувствительность параллельных пластин
         D       L⋅a
     σ= =                                                         (3.16)
         U 2d ⋅ U a
     Величина σ, очевидно, характеризует не только сами пластины, но и
конструкцию всего прибора.
     Полученные выражения позволяют сформулировать некоторые общие
закономерности электростатического отклонения.
     1. Чувствительность электростатического отклонения не зависит от
заряда и массы частицы.
     2. Чувствительность обратно пропорциональна ускоряющему анодному
напряжению. Параллельные пластины - самый простой вариант
электростатического отклонения, но они не могут обеспечить достаточный
угол отклонения при приемлемой чувствительности. Поэтому на практике
часто применяют более сложные конструкции отклоняющих пластин (рис.
3.13) для которых могут быть получены соответствующие уравнения.




              Рис. 3.13. Конструкции отклоняющих пластин


           3.6.2. Магнитное отклонение электронных пучков

    В случае магнитного отклонения используются однородные взаимно
перпендикулярные поля, создаваемые двумя парами обтекаемых током
отклоняющих катушек (рис. 3.14).




                                   56