Вакуумная и плазменная электроника. Светцов В.И. - 89 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

89
D
k
e
b T
a i e
= ⋅ ⋅ (4.48)
Анализ этого выражения показывает, что коэффициент амбиполярной
диффузии значительно меньше коэффициента диффузии электронов, так как b
i
<< b
e
, но больше коэффициента диффузии ионов, ибо T
e
>> T
i
.
Контрольные вопросы
1. Сформулируйте смысл количественных характеристик столкновений
(сечение, коэффициент скорости, Таунсендовский коэффициент).
2. Как можно аналитически описать зависимость сечения процесса от
энергии электрона.
3. Какие столкновения являются упругими и от чего зависит доля энергии,
теряемой электроном при столкновении.
4. Чем отличаются неупругие столкновения первого и второго рода.
5. Какое излучение называется резонансным.
6. Чем отличаются функции возбуждения при изменении и без изменения
спина.
7. Сформулируйте принцип Франка - Кондона.
8. Объясните вид функции ионизации атомов и молекул электронным уда-
ром.
9. От чего зависит степень термической ионизации газа.
10. Сформулируйте условие возникновения фотоионизации.
11. Как зависит скорость ступенчатого процесса от концентрации электро-
нов.
12. Что такое пеннинговская ионизация.
13. Укажите основные типы процессов образования отрицательных ионов.
14. Какой вид имеют кривые зависимости сечения прилипания электронов
от их энергии: а) для порогового процесса, б) для беспорогового процесса.
15. Назовите основные пути рассеяния энергии при электрон - ионной и
ион - ионной рекомбинации.
16. Как меняется концентрация электронов во времени в рекомбинационно
распадающейся плазме.
17. Как зависит скорость рекомбинации от температуры.
18. В чем особенности рекомбинации заряженных и нейтральных частиц.
19. Как связаны подвижность и коэффициент диффузии электронов и ио-
нов.
20. В чем заключаются особенности амбиполярной диффузии. 
           k
    Da =     ⋅ b i ⋅ Te                                        (4.48)
           e
    Анализ этого выражения показывает, что коэффициент амбиполярной
диффузии значительно меньше коэффициента диффузии электронов, так как bi
<< be, но больше коэффициента диффузии ионов, ибо Te >> Ti.

                          Контрольные вопросы

     1. Сформулируйте смысл количественных характеристик столкновений
(сечение, коэффициент скорости, Таунсендовский коэффициент).
     2. Как можно аналитически описать зависимость сечения процесса от
энергии электрона.
     3. Какие столкновения являются упругими и от чего зависит доля энергии,
теряемой электроном при столкновении.
     4. Чем отличаются неупругие столкновения первого и второго рода.
     5. Какое излучение называется резонансным.
     6. Чем отличаются функции возбуждения при изменении и без изменения
спина.
     7. Сформулируйте принцип Франка - Кондона.
     8. Объясните вид функции ионизации атомов и молекул электронным уда-
ром.
     9. От чего зависит степень термической ионизации газа.
     10. Сформулируйте условие возникновения фотоионизации.
     11. Как зависит скорость ступенчатого процесса от концентрации электро-
нов.
     12. Что такое пеннинговская ионизация.
     13. Укажите основные типы процессов образования отрицательных ионов.
     14. Какой вид имеют кривые зависимости сечения прилипания электронов
от их энергии: а) для порогового процесса, б) для беспорогового процесса.
     15. Назовите основные пути рассеяния энергии при электрон - ионной и
ион - ионной рекомбинации.
     16. Как меняется концентрация электронов во времени в рекомбинационно
распадающейся плазме.
     17. Как зависит скорость рекомбинации от температуры.
     18. В чем особенности рекомбинации заряженных и нейтральных частиц.
     19. Как связаны подвижность и коэффициент диффузии электронов и ио-
нов.
     20. В чем заключаются особенности амбиполярной диффузии.




                                     89

Страницы