Технология радиоэлектронных средств. Ч.1. Светличный А.М - 52 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

касания с поверхностью кристалла. Схема измерения удельного

сопротивления слоя представлена на рис.П3.2. Если диффу-

зионный слой имеется только с одной стороны пластины и его

можно рассматривать в определенном приближении как слой

бесконечно малой толщины и неограниченных размеров, то

падение напряжения между средними зондами будет

)5,0ln2(ln2 −

Тогда R

= 4,5324

где R

– удельное поверхностное сопротивление(Ом·см);

С – численный коэффициент, определяемый из табл.П3.1;

S – расстояние между зондами(см);

U – разность потенциалов между внутренними зондами

(В);

I – ток, пропускаемый через образец(А).

В том случае, когда измеряемый слой имеет ограниченные

размеры, численный коэффициент С рассчитывается исходя из

конкретной геометрии образца и расстояния между

зондами

( см. рис.П3.1 ).

s s s

Рис.П3.1