Технология радиоэлектронных средств. Ч.1. Светличный А.М - 53 стр.

UptoLike

53
Значения коэффициента С при диффузии по всей
поверхности образца приведены в табл. П3.1.
Таблица П3.1
d/s круг a/d=1 a/d=2 a/d=3 a/d=4
1,0 0,998 0,994
1,25 1,1267 1,2248
1,5 1,4788 1,4893 1,4893
1,75 1,7196 1,7238 1,7238
2,0 1,9454 1,9475 1,9475
2,5 2,3532 2,3541 2,5341
3,0 2,2662 2,4575 2,7000 2,7005 2,7005
4,0 2,9289 3,1137 3,2246 3,2248 3,2248
5,0 3,3626 3,5098 3,5749 3,5750 3,5750
7,5 3,9273 4,0095 4,0361 4,0362 4,0362
10,0 4,1716 4,2209 4,2357 4,2357 4,2357
15,0 4,3646 4,3882 4,3947 4,3947 4,3947
20,0 4,4364 4,4516 4,4553 4,4553 4,4553
40,0 4,5076 4,5120 4,5129 4,5129 4,5129
Объемное удельное сопротивление слоя ρ
v
, если предпо-
ложить однородность свойств слоя по толщине, связано с R
s
соотношением
ρ
v
= R
s
X
i
,
где Х
i
глубина залегания p-n-перехода.
Измерение производить в следующем порядке.
1.Поместить образец на изолирующую подставку и к сере-
дине его поверхности прижать 4 – х зондовую головку (прижа-
тие должно быть таким, чтобы не расколоть образец).
2.Пропустить ток через образец; измерить его по миллиам-
перметру (обычно ток устанавливают равным 1 мА) и более
точно по падению напряжения на эталонном сопротивлении.