ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
55
Р
v
= R
sn
·Δх.
В рассмотренном случае предполагалось, что обе границы
тонкого слоя являются изолирующими.
П4.Определение глубины расположения p-n-перехода
Для определения глубины расположения p-n-перехода в
лабораторной работе используется метод окрашивания поверх-
ности полупроводника. Возможность применения этого метода
обусловлена тем, что области электронной и дырочной прово-
димости по разному окрашиваются после обработки в специаль-
ных растворах. При выполнении работы сферический шлиф,
показанный на рис.П4.1, обрабатывается в концентрированной
плавиковой кислоте. Капля
раствора помещается на поверх-
ность шлифа и через 2 – 3 мин при сильном освещении места
контроля р-область темнеет, в то время как n-область остается
светлой. Механизм окрашивания связан, по мнению многих
авторов, с образованием двуокиси кремния на поверхности р-
области, богатой необходимыми для окисления дырками. Роль
света при окрашивании не вполне
ясна. Можно предположить,
что за счет фотоэффекта переход смещается в обратном направ-
лении и это обеспечивает разную скорость травления областей
p- и n- типов. В нашем случае сферический шлиф на иссле-
дуемом образце изготавливается лаборантом на специальной
установке.
Произведем определение толщины диффузионного слоя.
Для этого с помощью микрометрических винтов микроскопа
ПМТ-3 необходимо
выбрать место измерения на шлифе
(участок А – В, рис.П4.1 ) и получить четкое изображение
выбранного участка в окуляре микроскопа. С помощью
микрометрического винта микроскопа измерить длину хорды,
касательной к внутренней окружности окрашенного шлифа.
Длина хорды равна разности показаний на барабане
микрометрического винта при перемещении перекрестия
