ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
7
электрического поля и к увеличению коэффициента диффузии
по сравнению с расчетами по формуле (1.3).
В процессе изготовления интегральных полупроводниковых
схем по известному коэффициенту диффузии определяют
основные параметры диффузионного процесса: распределение
концентрации примесей по глубине, толщину диффузионного
слоя, время диффузии. Для этого требуется решение уравнения
(1.2) при определенных начальных и граничных условиях,
соответствующих
реальным процессам диффузии. Практически
при создании интегральных схем представляют интерес два
случая диффузии: из бесконечного и конечного источников
примеси. При обычных условиях, когда примеси диффун-
дируют в полупроводник, ни одна из них не достигает
противоположной границы. Поэтому выбирается модель полу-
бесконечного твердого тела, ограниченного плоскостью x = 0.
1.2.3. Диффузия из бесконечного источника примеси
Важное практическое значение имеет случай, когда на гра-
нице полубесконечного тела (на поверхности пластины ) под-
держивается постоянная концентрация диффундирующей при-
меси N
s.
Такой процесс диффузии нашел широкое расп-
ространение при изготовлении диффузионных p-n-переходов.
Начальное (t=0) и граничное (х=0) условия запишутся так:
N (x>0, 0)=0;
N (0, t≥0)=N
s.
Для этого случая решение уравнения диффузии (1.2) имеет
вид:
N(x,t)=N
s
erfc(x/2 Dt ), (1.4)
где N(x,t) – распределение концентрации диффундирующей
примеси по глубине х полупроводника с течением времени t ,
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
