Технология радиоэлектронных средств. Ч.1. Светличный А.М - 9 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

9
Таблица 1.2
η
erfc ŋ
η
erfc ŋ
η
erfc ŋ
η
erfc ŋ
0 1,00000 1,00 0,15730 2,00 0,00468 3, 0 0, 0000225
0,10 0,88754 1,10 0,11980 2,10 0,00298 3,10 0,00001165
0,20 0,77730 1,20 0,08969 2,20 0,00186 3,20 0,00000603
0,30 0,67137 1,30 1,06599 2,30 0,00114 3,30 0,00000306
0,40 0,57161 1,40 0,04772 2,40 0,000689 3,40 0,00000152
0,50 0,47950 1,50 0,03390 2,50 0,000407 3,50 0,000000743
0,60 0,39614 1,60 0,02365 2,60 0,000236 3,60 0,000000356
0,70 0,32220 1,70 0,01621 2,70 0,000134 3,70 0,000000077
0,80 0,25790 1,80 0,01091 2,80 0,000075 3,80 0,000000035
0,90 0,20390 1, 90 0,00721 2, 9 0,000041 3,90 0,000000012
Из выражения (1.4) следует, что распределение примеси по
глубине х имеет вид, показанный на рис.1.3, т. е. при различных
сочетаниях D и t можно получить заданный закон расп-
ределения. Кроме того, при постоянной поверхностной концент-
рации N
s
количество примеси, введенное в полупроводник (доза
легирования), также зависит от температурно – временного
воздействия (D·t). Дозу легирования Р
0
, т.е. интегральное
количество атомов примеси, введенное в полупроводник за
время диффузии через площадку в 1см
2
, можно получить
следующим образом. Подставляя в уравнение (1.1) выражение
(1.4) при х=0, получим
F(x, t)
|
x=0
=−D .)
2
(exp
2
t
D
N
Dt
x
Dt
N
s
s
π
π
=
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
− (1.5)
Интегрируя (1.5) по времени, найдем интегральное коли-
чество примеси:
Р
0
= .
2
),(
0
DtNdttxF
s
t
π
=
∫
(1.6)
Для уменьшения температурного воздействия поверх-
ностную концентрацию выбирают максимально возможной,
соответствующей предельной растворимости примеси при выб-

Страницы