Технология радиоэлектронных средств. Ч.1. Светличный А.М - 10 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

10
1
10
10
10
10
10
0,8
0,6
0,4
0,2
8
6
4
2
8
6
4
2
8
6
4
2
8
6
4
2
-1
-2
-3
-4
-5
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3
η
erfc
η
Рис. 1. 2
ранной температуре диффузии (рис. 1.4). Например, при
температуре диффузии Т=1150
0
С из рис. 1.4 можно определить
для бора N
s
=4·10
20
см
-3
, для фосфора N
s
≈1·10
21
см
-3
(соот-
ветствующие значения N
s
и Т отмечены пунктирными линиями).
В результате образуется тонкий приповерхностный слой, насы-
щенный примесью.

Страницы