Технология радиоэлектронных средств. Ч.1. Светличный А.М - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

12
Таблица.1.3
Бор Фосфор Темпе-
ратура,
0
С
D, см
2
/с
N
s1
10
20
,см
3
D, см
2
/с N
s1
10
20
,см
-3
900 8,0·10
-15
2, 8 8,0·10
-16
6, 0
925 1,5·10
-14
3, 0 2,0·10
-15
6, 9
950 3,0·10
-14
3, 2 4,0·10
-15
7, 8
975 5.0·10
-14
3, 4 7,0·10
-15
8, 7
1000 7,0·10
-14
3, 6 1,3·10
-14
9, 6
1025 1,3·10
-13
3, 8 3,0·10
-14
10, 0
1050 2,0·10
-13
4, 0 7,0·10
-14
10, 8
1075 3,0·10
-13
4, 2 1,0·10
-13
11, 5
1100 4,0·10
-13
4, 4 2,0·10
-13
12, 2
1125 7,0·10
-13
4, 6 2,6·10
-13
12, 9
1150 1,0·10
-12
4, 8 5,0·10
-13
13, 6
1175 1,5·10
-12
5, 0 1,0·10
-12
14, 3
1200 2,0·10
-12
5, 2 1,7·10
-12
15, 0
0
600
800 1000 1200 1400 Т, С
3
см
N
s,
N
(x,t)
Х
N
N
s
ф
Окисел
кремния
К
р
е
м
н
и
й
X
0
22
10
10
10
10
10
21
20
19
18
As
P
B
SB
Рис. 1. 4 Рис. 1. 5
элементы-акцепторы, например В.Для получения электронной
проводимости чаще всего применяются следующие элементы

Страницы