ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
13
доноры: P, As, Sb. Параметры диффузии бора и фосфора в
кремнии приведены в таблице 1.3.
При расчете технологического режима одноэтапной диф-
фузии из бесконечного источника примеси требуется при задан-
ной температуре диффузии Т
з,
поверхностной концентрации
диффузанта N
s
и концентрации атомов примеси в исходном
материале (или фоновой концентрации) N
ф
определить время
диффузии, при котором обеспечивается заданная глубина
залегания х
0
p-n-перехода или заданная толщина диффу-
зионного слоя.
Для глубины залегания p-n-перехода х
0
уравнение (1.4)
можно записать в виде
N(x
0
, t)=N
s
erfc( )
2
0
Dt
x
. (1.7)
Из рис. 1.5 видно, что при х
0
N(x
0
, t)=N
ф
, т. е. (1.7) при-
нимает вид:
erfc(
.)
0
s
ф
N
N
Dt
x
=
(1.8)
Выражение (1.8) является основным для определения
времени одноэтапной диффузии.
1. 2. 4. Расчет распределения примеси при загонке
термической иффузией
Исходные данные: диффундирующая примесь – бор;
концентрация доноров в подложке N
0
=2,5·10
15
см
-3
; глубина
загонки примеси х
3
=1,8·10
-5
см; температура загонки Т
3
=950
0
С.
Определить: время загонки t
1
; интегральное количество
введенной примеси Р
0
, поступившей на единицу площади;
распределение бора по глубине после загонки примеси.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- …
- следующая ›
- последняя »
