Технология радиоэлектронных средств. Ч.1. Светличный А.М - 11 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Обычно p-n-переход образуется на глубине x

, где концент-

рация введённой примеси

N(x,t) оказывается равной концент-

рации исходной примеси N

ф,

как показано на рис. 1.5. Ввиду

конечной скорости диффузии концентрация введенной примеси

убывает в направлении от поверхности, через которую проис-

ходит диффузия (рис. 1.5 ), причем в данном примере показана

диффузия примеси p-типа в кремний n-типа. Диффузия примеси

происходит не только в напралении х, но и в других нап-

равлениях. Поэтому боковые стенки p-n-перехода

при терми-

ческой диффузии всегда расположены под слоем маскирующего

окисла кремния. В качестве легирующих примесей для получе-

ния дырояной электропроводности можно использовать

0,5мкм

0,8

0,6

0,4

0,2

0,25 0,5 0,75 1 1,25 1,5 х, мкм

N(x,t)

0,25

0,125

Рис. 1.3