Математическое моделирование технологических процессов и ИМС. Тамаров В.А. - 4 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

РПД МЭ ЕНВО1-2002
3. Нормативная трудоемкость дисциплины.
Трудоемкость дисциплины в часах, исходя из 17-недельного семестра
(дробью: всего в семестре в среднем в неделю).
8 семестр
Общая 136/8
Обязательная аудиторная 68/4
Лекции 34/2
Лабораторные занятия 17/1
Курсовое проектирование
Практические занятия 17/1
Семинары
Самостоятельная работа студентов 68/4
Аудиторная 17/1
Внеаудиторная 51/3
В т.ч. курсовая работа 34/2
Контроль:
Текущий на занятиях 8 семестр
Защита курсовой работы с оценкой 8 семестр
Сдача зачета 8 семестр
4. Цели и задачи дисциплины.
4.1. Целью дисциплины является научить студентов математическому мо-
делированию основных математических процессов, полупроводниковых при-
боров и элементов интегральных микросхем.
4.2. В результате изучения дисциплины студент должен иметь представле-
ние о принципах
построения физических и математических моделей техноло-
гических процессов, полупроводниковых приборов и элементах интегральных
микросхем, знать пределы применимости различных моделей с учетом их адек-
ватности реальным физическим процессам, уметь составлять математические
модели с учетом начальных и граничных условий, иметь навыки использования
применяемых математических моделей для расчета их параметров на ПЭВМ и
проводить
оптимизацию этих параметров.
5. Место дисциплины в учебном процессе.
Дисциплина относится к циклу специальных дисциплин, обеспечивающих
математическую и компьютерную подготовку.
Изучение данной дисциплины базируется на следующих дисциплинах:
«Высшая математика», «Технология полупроводниковых приборов и ИМС»,
«Применение ЭВМ в инженерной практике», «Физика микроэлектронных при-
боров». 
                                                       РПД МЭ ЕНВО1-2002
    3. Нормативная трудоемкость дисциплины.
    Трудоемкость дисциплины в часах, исходя из 17-недельного семестра
(дробью: всего в семестре в среднем в неделю).

                                           8 семестр
     Общая                                 136/8
     Обязательная аудиторная               68/4
     Лекции                                34/2
     Лабораторные занятия                  17/1
     Курсовое проектирование
     Практические занятия                  17/1
     Семинары
     Самостоятельная работа студентов      68/4
     Аудиторная                            17/1
     Внеаудиторная                         51/3
     В т.ч. курсовая работа                34/2

    Контроль:
    Текущий на занятиях                      8 семестр
    Защита курсовой работы с оценкой         8 семестр
    Сдача зачета                             8 семестр

    4. Цели и задачи дисциплины.
    4.1. Целью дисциплины является научить студентов математическому мо-
делированию основных математических процессов, полупроводниковых при-
боров и элементов интегральных микросхем.
    4.2. В результате изучения дисциплины студент должен иметь представле-
ние о принципах построения физических и математических моделей техноло-
гических процессов, полупроводниковых приборов и элементах интегральных
микросхем, знать пределы применимости различных моделей с учетом их адек-
ватности реальным физическим процессам, уметь составлять математические
модели с учетом начальных и граничных условий, иметь навыки использования
применяемых математических моделей для расчета их параметров на ПЭВМ и
проводить оптимизацию этих параметров.

    5. Место дисциплины в учебном процессе.
    Дисциплина относится к циклу специальных дисциплин, обеспечивающих
математическую и компьютерную подготовку.
    Изучение данной дисциплины базируется на следующих дисциплинах:
«Высшая математика», «Технология полупроводниковых приборов и ИМС»,
«Применение ЭВМ в инженерной практике», «Физика микроэлектронных при-
боров».

Страницы