Математическое моделирование технологических процессов и ИМС. Тамаров В.А. - 6 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

Влияние изменения технологических параметров на электрические характери-
стики биполярных транзисторов.
Математическая модель МДП-транзистора. Особенности модели для МДП-
транзистора малых размеров. Идентификация параметров электрической моде-
ли МДП-транзистора. Влияние изменения технологических факторов на элек-
трические характеристики МДП-транзисторов.
Модель интегральной инжекционной структуры. Моделирование полевых
транзисторов с затвором Шоттки. Гетеропереходные транзисторы.
7.1.4.
Моделирование ИМС (6 часов).
Принципы макромоделирования. Методы схемотехнического моделирова-
ния ИМС. Построение математических моделей ИМС. Модифицированный
метод узловых потенциалов расчета ИМС. Моделирование ИМС в режиме по-
стоянного тока. Моделирование ИМС во временной области.
7.2. Форма проведения занятий – лекции с частичным использованием де-
монстрационных материалов.
8.Практические занятия.
8.1. Основные темы.
8.1.1. Моделирование и
расчет интегральных p-n- диодов.
8.1.2. Моделирование и расчет интегральных диодов Шоттки.
8.1.3. Моделирование и расчет интегральных биполярных транзисторов.
8.1.4. Моделирование и расчет интегральных полевых транзисторов.
8.1.5. Моделирование и расчет диффузионных резисторов.
8.2. Форма проведения занятий – бригадные расчеты проводятся с помощью
ПЭВМ.
9. Лабораторные занятия.
9.1. Основные темы.
9.1.1. Моделирование профиля распределения примесей при ионном легиро-
вании.
9.1.2. Моделирование профиля распределения примесей при диффузии.
9.1.3. Моделирование процесса эпитаксии.
9.1.4. Моделирование процесса термического напыления.
9.1.5. Моделирование процессов фотолитографии.
9.2. Форма проведения занятий – индивидуальная работа на ПЭВМ.
10. Семинарские занятия – не предусмотрены.
11. Курсовая работа.
11.1. Перечень рекомендуемых тем:
Математическое моделирование и расчет характеристик МДП-транзистора.
11.2. Рекомендации по проведению: при выполнении работы
желательно ис-
пользование ПЭВМ. 
Влияние изменения технологических параметров на электрические характери-
стики биполярных транзисторов.
    Математическая модель МДП-транзистора. Особенности модели для МДП-
транзистора малых размеров. Идентификация параметров электрической моде-
ли МДП-транзистора. Влияние изменения технологических факторов на элек-
трические характеристики МДП-транзисторов.
    Модель интегральной инжекционной структуры. Моделирование полевых
транзисторов с затвором Шоттки. Гетеропереходные транзисторы.
    7.1.4. Моделирование ИМС (6 часов).
    Принципы макромоделирования. Методы схемотехнического моделирова-
ния ИМС. Построение математических моделей ИМС. Модифицированный
метод узловых потенциалов расчета ИМС. Моделирование ИМС в режиме по-
стоянного тока. Моделирование ИМС во временной области.
    7.2. Форма проведения занятий – лекции с частичным использованием де-
монстрационных материалов.

  8.Практические занятия.
  8.1. Основные темы.
  8.1.1. Моделирование и расчет интегральных p-n- диодов.
  8.1.2. Моделирование и расчет интегральных диодов Шоттки.
  8.1.3. Моделирование и расчет интегральных биполярных транзисторов.
  8.1.4. Моделирование и расчет интегральных полевых транзисторов.
  8.1.5. Моделирование и расчет диффузионных резисторов.
  8.2. Форма проведения занятий – бригадные расчеты проводятся с помощью
  ПЭВМ.

  9. Лабораторные занятия.
  9.1. Основные темы.
  9.1.1. Моделирование профиля распределения примесей при ионном легиро-
  вании.
  9.1.2. Моделирование профиля распределения примесей при диффузии.
  9.1.3. Моделирование процесса эпитаксии.
  9.1.4. Моделирование процесса термического напыления.
  9.1.5. Моделирование процессов фотолитографии.
  9.2. Форма проведения занятий – индивидуальная работа на ПЭВМ.

  10. Семинарские занятия – не предусмотрены.

  11. Курсовая работа.
  11.1. Перечень рекомендуемых тем:
  Математическое моделирование и расчет характеристик МДП-транзистора.
  11.2. Рекомендации по проведению: при выполнении работы желательно ис-
  пользование ПЭВМ.

Страницы