Математическое моделирование технологических процессов и ИМС. Тамаров В.А. - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

Основные положения дисциплины должны быть использованы в дальней-
шем при изучении курса «Автоматизация проектирования» и при дипломном
проектировании.
6. Сводные данные об основных разделах дисциплины и распределения
часов по видам занятий.
Количество часов занятий
аудиторных
Название раздела
лекци-
онных
практи-
ческих
лабора-
торных
самостоя
тельных
Уровни *
изучения
Введение 2 – – – А
Моделирование техно-
логических процессов
10 – 10 16 В
Моделирование полу-
проводниковых струк-
тур
6 4 4 24 В
Моделирование элемен-
тов интегральных схем
10 10 3 10 В
Моделирование ИМС 6 3 – 8 Г
* А – для общей эрудиции;
В - для использования непосредственно в профессиональной деятельности;
Г - вновь рассматриваемый раздел.
7. Лекции.
7.1. Разделы и их содержание.
Введение.
7.1.1. Моделирование технологических процессов (10 часов).
Модели процессов ионного легирования, модели диффузионных процес-
сов. Модели термического окисления. Моделирование граничных процессов.
Моделирование процессов эпитаксии. Моделирование процессов литографии.
Моделирование процессов с
использованием поликремния.
7.1.2. Моделирование полупроводниковых структур (6 часов).
Назначение и проблемы численного моделирования полупроводниковых
структур. Основные уравнения полупроводника. Ограничения моделей. Воз-
можные подходы к моделированию. Особенности применения приближенных
структурно-физических моделей.
7.1.3. Моделирование элементов интегральных схем (10 часов).
Требования к математическим моделям. Модели биполярного транзистора
Эберса-Молла и Гуммеля-Пина. Обобщенное выражение коэффициента
пере-
дачи тока. Модели биполярного транзистора для большого и малого сигналов.
Идентификация параметров электрической модели биполярного транзистора. 
    Основные положения дисциплины должны быть использованы в дальней-
шем при изучении курса «Автоматизация проектирования» и при дипломном
проектировании.

    6. Сводные данные об основных разделах дисциплины и распределения
      часов по видам занятий.

                               Количество часов занятий
   Название раздела             аудиторных                     Уровни *
                         лекци- практи- лабора-       самостоя изучения
                         онных ческих      торных     тельных

Введение                    2         –         –          –        А
Моделирование техно-       10         –        10         16        В
логических процессов
Моделирование полу-         6         4         4         24        В
проводниковых струк-
тур
Моделирование элемен-      10        10         3         10        В
тов интегральных схем
Моделирование ИМС           6         3         –         8          Г

    * А – для общей эрудиции;
    В - для использования непосредственно в профессиональной деятельности;
    Г - вновь рассматриваемый раздел.

     7. Лекции.
     7.1. Разделы и их содержание.
     Введение.
     7.1.1. Моделирование технологических процессов (10 часов).
     Модели процессов ионного легирования, модели диффузионных процес-
сов. Модели термического окисления. Моделирование граничных процессов.
Моделирование процессов эпитаксии. Моделирование процессов литографии.
Моделирование процессов с использованием поликремния.
     7.1.2. Моделирование полупроводниковых структур (6 часов).
     Назначение и проблемы численного моделирования полупроводниковых
структур. Основные уравнения полупроводника. Ограничения моделей. Воз-
можные подходы к моделированию. Особенности применения приближенных
структурно-физических моделей.
     7.1.3. Моделирование элементов интегральных схем (10 часов).
     Требования к математическим моделям. Модели биполярного транзистора
Эберса-Молла и Гуммеля-Пина. Обобщенное выражение коэффициента пере-
дачи тока. Модели биполярного транзистора для большого и малого сигналов.
Идентификация параметров электрической модели биполярного транзистора.

Страницы