Условия освоения основных образовательных программ высшего профессионального образования в сокращенные сроки по специальности 220100. Тарасов В.Н - 9 стр.

UptoLike

9
обработка информации. Оценка производительности, классификация,
назначение и области применения вычислительных систем.
Многопроцессорные и многомашинные вычислительные системы
Классификации и архитектура вычислительных систем.
Комплексирование в вычислительных системах. Типовые структуры
вычислительных систем: структура многопроцессорных систем с общей
памятью и коммутацией сообщений, типы сетей связи процессоров.
Процессоры со многими АЛУ и регистровым файлом. Структура
процессора для обработки графической информации.
Процессоры с конвейеризацией команд. Принцип конвейеризации
команд. Арифметический конвейерный процессор. Структура конвейерного
сумматора с плавающей точкой. Параллельное функционирование множества
арифметических конвейеров и обеспечение их автоматической настройки.
Организация функционирования вычислительных систем.
2.4 Электроника
Раздел 1 Элементы физических основ полупроводниковых приборов.
Элементная база современных электронных устройств.
Элементы зонной теории. Представление энергетического состояния
полупроводников в зонной теории. Электропроводность полупроводников.
Собственные и примесные полупроводники. Структура и методы получения p-n
перехода. Свойства p-n перехода без подачи внешнего напряжения, при
прямом смещении, при обратном смещении. Переход металл-полупроводник.
Полупроводниковый диод. Структура и принцип действия
полупроводникового диода. Параметры диода. ВАХ, температурные свойства.
Включение диода в электрическую цепь. Рабочая точка диода. Режимы работы.
Схемы замещения, частотные и временные параметры.
Биполярный транзистор. Структура и принцип действия биполярного
транзистора. Типы биполярных транзисторов. Вольтамперная характеристика
(ВАХ). Статические параметры. Схемы замещения по постоянному и
переменному току. Динамические параметры биполярного транзистора. Схемы
включения транзистора. Схема с общим эмиттером. Схема с общей базой.
Схема с общим коллектором. Частотные и временные параметры трех схем
включения транзистора.
Полевые транзисторы. Типы полевых транзисторов. Принцип действия
полевого транзистора с p-n переходом, ВАХ и параметры. Схемы замещения по
постоянному и переменному току. Динамические свойства транзистора.
Принцип действия транзисторов МОП-типа со встроенным каналом.
ВАХ и его параметры. Принцип действия транзисторов МОП-типа с
индуцированным каналом, ВАХ и параметры. Сравнительный анализ
частотных и временных параметров полевых транзисторов с p-n переходом и
МОП-типа.
обработка информации. Оценка производительности, классификация,
назначение и области применения вычислительных систем.
      Многопроцессорные и многомашинные вычислительные системы
      Классификации      и     архитектура    вычислительных   систем.
Комплексирование в вычислительных системах. Типовые структуры
вычислительных систем: структура многопроцессорных систем с общей
памятью и коммутацией сообщений, типы сетей связи процессоров.
      Процессоры со многими АЛУ и регистровым файлом. Структура
процессора для обработки графической информации.
      Процессоры с конвейеризацией команд. Принцип конвейеризации
команд. Арифметический конвейерный процессор. Структура конвейерного
сумматора с плавающей точкой. Параллельное функционирование множества
арифметических конвейеров и обеспечение их автоматической настройки.
Организация функционирования вычислительных систем.

     2.4 Электроника

    Раздел 1 Элементы физических основ полупроводниковых приборов.
Элементная база современных электронных устройств.

      Элементы зонной теории. Представление энергетического состояния
полупроводников в зонной теории. Электропроводность полупроводников.
Собственные и примесные полупроводники. Структура и методы получения p-n
перехода. Свойства p-n перехода без подачи внешнего напряжения, при
прямом смещении, при обратном смещении. Переход металл-полупроводник.
      Полупроводниковый       диод.   Структура   и    принцип   действия
полупроводникового диода. Параметры диода. ВАХ, температурные свойства.
Включение диода в электрическую цепь. Рабочая точка диода. Режимы работы.
Схемы замещения, частотные и временные параметры.
      Биполярный транзистор. Структура и принцип действия биполярного
транзистора. Типы биполярных транзисторов. Вольтамперная характеристика
(ВАХ). Статические параметры. Схемы замещения по постоянному и
переменному току. Динамические параметры биполярного транзистора. Схемы
включения транзистора. Схема с общим эмиттером. Схема с общей базой.
Схема с общим коллектором. Частотные и временные параметры трех схем
включения транзистора.
      Полевые транзисторы. Типы полевых транзисторов. Принцип действия
полевого транзистора с p-n переходом, ВАХ и параметры. Схемы замещения по
постоянному и переменному току. Динамические свойства транзистора.
      Принцип действия транзисторов МОП-типа со встроенным каналом.
ВАХ и его параметры. Принцип действия транзисторов МОП-типа с
индуцированным каналом, ВАХ и параметры. Сравнительный анализ
частотных и временных параметров полевых транзисторов с p-n переходом и
МОП-типа.


                                                                     9