Методы исследования материалов и структур. Тиллес В.Ф. - 4 стр.

                                                                 РПД МЭ __ - 2002

 4 Цель и задачи дисциплины
      4.1 Целью дисциплины является научить студентов экспериментальным методам
измерения параметров, которые являются основными для производственного контроля
качества материалов и структур и составляют основу многих методов исследования
полупроводников и полупроводниковых приборов.
         4.2 В результате изучения дисциплины студент должен:
• иметь представление об основных современных методах измерения параметров
материалов, понимать физические процессы, лежащие в основе этих методов, уметь
объяснить влияние контролируемых параметров материалов на характеристики приборов и
структур на их основе ;
• знать принципы взаимосвязи между измеряемыми параметрами полупроводникового
материала и характеристиками обнаруживаемых химических примесей, глубоких уровней и
других несовершенств кристаллической решетки
• уметь обосновать выбор высокоточных и производительных средств измерений, а также
современных методов неразрушающего контроля материалов.
• иметь навыки измерения основных параметров материалов, а также опыт компьютерной
обработки результатов исследований.
         5 Место дисциплины в учебном процессе
         Дисциплина относится к циклу дисциплин специальных дисциплин, дисциплин
специализации и блоку дисциплин, обеспечивающих метрологическую, конструкторско-
технологическую подготовку.
         Изучение данной дисциплины базируется на следующих дисциплинах:
Материалы и элементы электронной техники, Квантовая механика и статистическая физика,
Оптоэлектроника, Физика твердого тела, Физическая химия и кристаллография, Технология
материалов, Технология полупроводниковых приборов и ИМС.

        6 Сводные данные об основных разделах дисциплины и распределении часов
 по видам занятий

Название раздела                        Количество часов занятий
                                              аудиторных               Уровни
                                 лекцион Практи- Лабора- самостоя- изучения
                                 ных      ческих    торных     тельных
                                          занятий
Введение.                            1                                    А1
Основные    методы     измерения     7                  4                 В1
электрофизических     параметров
полупроводников
Методы измерения параметров          4                   4                   В1
глубоких       центров        в
полупроводниках.
Методы             исследования      5                                       В1
микроструктуры         точечных
дефектов.