Методы исследования материалов и структур. Тиллес В.Ф. - 5 стр.

                                                               РПД МЭ __ - 2002

Прецизионная профилометрия и        4                                      В1
измерение         геометрических
размеров      в       структурах
микроэлектроники.
Измерение состава твердых тел и     5                   6                  В1
концентрационных       профилей
методами электронной и ионной
спектроскопии, а также ядерно-
физическими методами анализа.
Дифракционные методы анализа        6                   2                  В1
кристаллической структуры.
Эксплуатация     и     сервисное    1                                      А1
обслуживание       аналитических
комплексов.
Заключение                          1


7 Лекции

7.1 Разделы и их содержание

     Введение. Краткая справка о развитии материаловедения. Краткая характеристика
современного состояния методов измерения полупроводниковых материалов, их роль в
процессе конструировании МЭА. Предмет дисциплины и его место в системе подготовки
специалистов в области микроэлектроники. Задачи дисциплины, обобщённая
характеристика её разделов и связь с другими дисциплинами.


Раздел 1.Основные методы измерения электрофизических параметров полупроводников.
1.1.Измерение    удельного   сопротивления    полупроводников.    Двухзондовый    и
четырехзондовый методы. Применение четырехзондового метода к образцам простой
геометрической    формы.    Измерение    удельного   сопротивления    диффузионных,
эпитаксиальных и ионнолегированных слоев четырехзондовым методом. Метод
сопротивления растекания. Высокочастотные бесконтактные способы измерения.
1.2.Измерение концентрации носителей заряда. Определение концентрации доноров и
акцепторов по температурной зависимости подвижности. Измерение распределения
концентрации и подвижности носителей. Определение концентрации носителей заряда по
Холловской подвижности. Измерение подвижности методами тока Холла и геометрического
магнитосопротивления.
Измерение концентрации носителей заряда оптическими методами.
1.3. Измерение характеристик параметров неравновесных носителей заряда. Параметры
неравновесных носителей заряда. Методы измерения дрейфовой подвижности,
коэффициента диффузии и диффузионной длинны неосновных носителей заряда. Метод
движущегося светового луча. Измерение времени жизни носителей заряда методом
модуляции проводимости в точечном контакте.

Раздел 2 Методы измерения параметров глубоких центров в полупроводниках.
Вольт-фарадные методы измерения параметров полупрводников. Метод релаксации
емкости. Метод термостимулированной емкости и фотоемкости.