ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
РПД МЭ __ - 2002
Раздел 3 Методы исследования микроструктуры точечных дефектов.
Применение электронного микроскопа для изучения структурного совершенства
полупроводников. Применение рентгеновских топографических методов для изучения
дефектов. Растровая электронная микроскопия.
Раздел 4.Прецизионная профилометрия и измерение геометрических размеров в структурах
микроэлектроники.
Инфракрасная интерференция и интерференция в видимой области спектра. Определение
толщины эпитаксиальных слоев методами эллипсометрии и инфракрасной интерференции.
Метод окрашивания шлифа. Измерение отклонения от плоскостности и контроль рельефа
поверхности полупроводниковых пластин и структур.
Раздел 5.Измерение состава твердых тел и концентрационных профилей методами
электронной и ионной спектроскопии, а также ядерно-физическими методами анализа.
Вторичная ионная масс-спектроскопия. Электронная спектроскопия для химического
анализа. Электронная Оже-спектроскопия. Электронно-зондовый рентгеновский
микроанализ.
Раздел 6.Дифракционные методы анализа кристаллической структуры.
Дифракционная решетка. Структурная электронография. Рентгеновский структурный
анализ. Нейтронография.
Раздел 7.Эксплуатация и сервисное обслуживание аналитических комплексов.
Заключение. Основные направления развития методов измерения параметров материалов и
структур.
7.2 Форма проведения занятий – лекция.
8 Практические занятия
Не предусмотрены
9 Лабораторные занятия
9.1 Основные темы:
1. Метод сопротивления растекания.
2. Измерение времени жизни носителей методом модуляции проводимости.
3. Определение параметров ловушек методом изотермической релаксации емкости.
4. Определение параметров решетки методами структурной электронографии.
5. Определение состава твердых тел методом рентгеновской спектроскопии.
6. Ядерный магнитный резонанс.
9.2 Форма проведения занятий
Самостоятельная работа студентов с последующей защитой работ.
РПД МЭ __ - 2002 Раздел 3 Методы исследования микроструктуры точечных дефектов. Применение электронного микроскопа для изучения структурного совершенства полупроводников. Применение рентгеновских топографических методов для изучения дефектов. Растровая электронная микроскопия. Раздел 4.Прецизионная профилометрия и измерение геометрических размеров в структурах микроэлектроники. Инфракрасная интерференция и интерференция в видимой области спектра. Определение толщины эпитаксиальных слоев методами эллипсометрии и инфракрасной интерференции. Метод окрашивания шлифа. Измерение отклонения от плоскостности и контроль рельефа поверхности полупроводниковых пластин и структур. Раздел 5.Измерение состава твердых тел и концентрационных профилей методами электронной и ионной спектроскопии, а также ядерно-физическими методами анализа. Вторичная ионная масс-спектроскопия. Электронная спектроскопия для химического анализа. Электронная Оже-спектроскопия. Электронно-зондовый рентгеновский микроанализ. Раздел 6.Дифракционные методы анализа кристаллической структуры. Дифракционная решетка. Структурная электронография. Рентгеновский структурный анализ. Нейтронография. Раздел 7.Эксплуатация и сервисное обслуживание аналитических комплексов. Заключение. Основные направления развития методов измерения параметров материалов и структур. 7.2 Форма проведения занятий – лекция. 8 Практические занятия Не предусмотрены 9 Лабораторные занятия 9.1 Основные темы: 1. Метод сопротивления растекания. 2. Измерение времени жизни носителей методом модуляции проводимости. 3. Определение параметров ловушек методом изотермической релаксации емкости. 4. Определение параметров решетки методами структурной электронографии. 5. Определение состава твердых тел методом рентгеновской спектроскопии. 6. Ядерный магнитный резонанс. 9.2 Форма проведения занятий Самостоятельная работа студентов с последующей защитой работ.
