ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
16
Контрольные вопросы
1. Испарение без диссоциации. Сущность процессов и примеры материа-
лов, испаряющихся без диссоциации.
2. Испарение с диссоциацией. Сущность процессов и примеры материалов,
испаряющихся таким образом.
3. Испарение с разложением. Сущность процесса и примеры материалов,
испаряющихся с разложением.
4. Испарение сплавов. Закон Рауля, коэффициент активности, давление па-
ров компонентов сплава. Примеры испарения сплавов.
5. Сущность метода реактивного испарения. Какие материалы можно по-
лучать этим методом?
6. Метод двух испарителей. Особенности получения сплавов и соединений
этим методом. Метод трех температур. Стехиометрический интервал.
7. Сущность метода молекулярно-лучевой эпитаксии и его сравнение с ме-
тодом двух испарителей.
8. Метод дискретного испарения: сущность, преимущества и недостатки.
Литература
1. Технология тонких пленок / пер. с англ. под ред. М.И. Елинсона,
Г.Г. Смолко. – М. : Сов. Радио. – Т. 1. – 1977. – 664 с.
2. Современная кристаллография / под ред. Б.К. Вайнштейна, А.А.Чернова,
Л.В.Шувалова. – М. : Наука. – Т. 3. – 1980. – 407 с.
3. Фелдман Л. Основы анализа поверхности и тонких пленок / Л. Фелдман,
Д. Майер. – М. : Мир, 1989. – 344 с.
4. Harsha Sree K.S. Principles of vapor deposition of thin films / K.S. Harsha
Sree. – Oxford : Elsevier, 2005. – 1176 p.
