Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 103 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

103
характеризуются сложной зависимостью от координаты, экстремальное
значение которой 2)0,(
=
m
XH уменьшается со временем до
стационарного значения ).exp(),(
mm
XXH −=∞ При увеличении
коэффициента поглощения
∞→α в соответствии с (5.26) координата
,0
→
m
X т.е. мгновенная концентрация НН на приемной поверхности
фоторезистора вдвое превышает максимальное стационарное значение, т.е.
2|)0,0(
=
∞=α
H . Графическая интерпретация рассматриваемых
закономерностей для режима слабого поглощения 1
=α
L
представлена на
рис.5.3.
Особенности режимов сильного поглощения и практического отсутствия
поглощения иллюстрируются графиками на рис.5.4.
H(X,T)
0
X 0
0.5 1 1.5
0.5
1
1.5
T
1
T
2
T
3
T
4
Рис. 5.3. Нормированные распределения концентраций НН по координате и во
времени для режима слабого поглощения (T
1
=0,001, T
2
=0,02, T
3
=0,1, T
4
=0,5)
0
X
0
0.5
1
1.5
0.5
1
1.5
H(X,T)
T
2
T
1
Рис. 5.4. Нормированные распределения концентраций НН по координате и во
времени для режима сильного (сплошная линия) и слабого (пунктир) поглощений
при T
1
=0,001, T
2
=0,1

Страницы