Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 105 стр.

UptoLike

105
Реализация рассматриваемого подхода применительно к условиям
произвольных значений коэффициента поглощения
α для точки с
координатой
LX
s
α= /1 приводит к уравнению
.01353,08647,0
)
2
1
(1353,0)
2
1
(
)1(
22
α
+=
=
α
α
α
+α
LT
s
s
s
s
s
e
TL
TLerf
TL
TLerf
(5.30)
Исследование уравнения (5.30) позволило установить основные
закономерности, важные для принятия технических решений. По мере
увеличения коэффициента поглощения и степени неравенства 1
>α
L
длительность
s
T
переходного процесса сокращается. Соответственно в
условиях слабого поглощения по мере усиления неравенства 1
<α
L
возрастают длительности нестационарных процессов. Результаты расчетов
s
T
по уравнению (5.30) представлены в таблице.
Длительность переходных процессов для различных значений
коэффициентов поглощения
αL
3,0 2,0 1,0 0,5 0,2
T
s
1,0 1,3 1,4 2,3 3,0
Окончание действия импульса излучения сопровождается
релаксацией электронной системы к исходному состоянию. Краевая задача
релаксации для излучений оптического диапазона имеет вид
),(
),(),(
2
2
TXP
X
TXP
T
TXP
+
=
, (5.31)
0
),(
),,0(
),0(
=
α=
X
TP
TLP
T
TP
, (5.32)
LX
ePXP
α
= )0,0()0,( . (5.33)
Решение задачи (5.31)-(5.33) имеет вид нормированной переходной
характеристики
)]}.
2
(1[
)
2
({
)0,0(
),(
),(
)(
)(
T
T
X
erfe
T
X
erfe
P
TXP
TXH
TX
TX
L
++
+==
+
+α
(5.34)
Длительность процесса релаксации
L
T определяется по (5.34) при
05,0),0( =
L
TH . Расчеты по (5.34) приводят к оценке 93,1=
L
T .
Полученные оценки длительностей
s
T и
L
T позволяют рассчитать