Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 106 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

106
предельные показатели быстродействия оптоэлектронных устройств
обработки информации. Если минимальная длительность импульса
I
T
информационного сигнала
s
I
TT > , а пауза между информационными
сигналами не может быть менее
L
T
, получаем оценку предельной частоты
следования информационных сигналов, воспроизводимых
фоторезистивным приемником
τ+= )93,1/(1
max s
tf , (5.35)
где
s
t в соответствии с данными таблицы изменяется в пределах 3...1=
s
t .
Из (5.35) становится очевидным преобладающее влияние времени жизни
НН τ на быстродействие фотоприемников в составе элементов и устройств
оптоэлектроники и интегральной оптики. Условием достижения
максимальных значений частоты следования f
max
информационных
сигналов является минимизация времени жизни τ НН. Изменение
спектрального состава излучений и связанного с ним значения
коэффициента поглощения α практически в бесконечных пределах влечет
не более чем двукратное изменение предельных значений тактовой
частоты. Чувствительность фоторезистивного приемника излучений
оптического диапазона в соответствии с выражением (4.21)
пропорционально τ . Поэтому требования высокого быстродействия и
чувствительности фоторезистивных приемников являются
взаимоисключающими. Это означает, что в реальных условиях
технические решения, принимаемые на различных этапах проектирования
фоторезистивных приемников дискретных или аналоговых сигналов,
являются компромиссными. Соответствующие параметры физико-
топологических моделей могут быть определены при использовании
приведенных результатов анализа стационарных и нестационарных
режимов работы фоторезисторов.
5.2. Релаксационные процессы в p-n переходах при воздействии
импульсов ионизирующих излучений
Кратковременная генерация неосновных носителей в базовой
области p-n перехода сопровождается процессами релаксации электронной
системы к состоянию равновесия после окончания действия импульса
ионизирующего излучения (ИИ). Амплитудно-временные характеристики
релаксационных процессов зависят от уровня возбуждения электронной
системы, концентрации, энергии активации и сечений захвата примесей,
способа генерации НН, определяющего начальное распределение
концентрации неосновных носителей. Ниже рассматриваются
релаксационные процессы в условиях слабого поглощения

Страницы