Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 108 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

108
γ
t - длительность импульса ИИ, с; Е
γ
– усредненная по спектру энергия
гамма-кванта, МэВ;
µ
- массовый коэффициент поглощения для средней
энергии гамма-квантов,
12
кгм
−
⋅ ,
ψ
- плотность потока гамма-квантов,
12
см
−
⋅ , τ - время жизни НН в базовой области p-n перехода.
Изменение концентрации НН в базовой области после окончания
действия ИИ происходит по закону, удовлетворяющему уравнению
непрерывности
)),((
),(),(
2
2
n
PTXP
X
TXP
T
TXP
−−
∂
∂
=
∂
∂
, ∞≤≤ X0 (5.37)
где
X=x/L – нормированная координата; L – диффузионная длина НН;
τ=
/
t
T
- нормированное время; P
n
– равновесная концентрация НН
(дырок) в базовой области
p-n перехода. В общем случае уравнению (5.37)
отвечает множество решений (интегральных кривых). Ограничение этого
множества происходит при задании начального распределения
концентраций НН. К моменту окончания импульса ИИ в условиях слабого
поглощения исследуемая область полупроводника равномерно
ионизирована, что соответствует начальному условию
const)0,(
н
== PXP . (5.38)
Единственное решение уравнения (5.37) соответствует конкретным
условиям на границах исследуемой области, так называемым граничным
условиям, определяющим законы изменения концентраций НН во времени
),(),0(
1
TFTP = ).(),(
2
TFTP =∞ (5.39)
Вид функций )(
1
TF и )(
2
TF определяет сложность получаемых решений.
Наиболее простые решения соответствуют случаям фиксированных
граничных условий
,),0(
1
CTP =
2
),( CTP =∞
где
1
C
и
2
C
- некоторые постоянные.
Определение вида граничного условия ),0(
T
P
в случае
обратносмещенного
p-n перехода с нулевым сопротивлением цепи
смещения производится с учетом следующих особенностей. Граница
раздела
p-n перехода и области базы n-типа (X=0) является идеальным
поглотителем дырок. Скорость диффузионного потока неравновесных
дырок, нормального к плоскостям раздела, т.е. плотность диффузионного
тока, после окончания действия импульса ИИ определяется только
характеристиками внешней цепи, в частности ее сопротивлением и
напряжением обратного смещения. Это объясняется тем, что внутреннее
электрическое поле
p-n перехода с максимальной напряженностью

Страницы