Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 109 стр.

UptoLike

109
16
Вм10
перебрасывает неравновесные дырки с границы p-n перехода во
внешнюю цепь со скоростью, значительно превосходящей скорость
диффузионного переноса в базовой области. Поэтому в рассматриваемых
условиях на границе
p-n перехода всегда поддерживается нулевая
концентрация неосновных носителей, что соответствует граничному
условию
0),0(
=
T
P
. (5.40)
Назначение второго граничного условия при
x=d, где dтолщина
базы
p-n перехода выполняется с учетом ряда условий. Для случаев, когда
выполняется неравенство
d>L (диод с «толстой» базой) часто
ограничиваются лишь одним граничным условием, например (5.40).
Решение уравнения (5.37) при начальном условии (5.38) и граничном
условии (5.40) соответствует случаю, когда нестационарные процессы на
границе
Х=0 за время переходного процесса не влияют на концентрацию
P(d,T). Такой подход отождествляется с понятием «полубесконечного
приближения». Его реализация возможна и для малых абсолютных
значений толщины базы
d p-n перехода, поскольку определяющим
является величина отношения
d/L. Обоснованность применения
полубесконечного приближения в конкретных условиях относительно
легко проверяется в процессе анализа полученных решений.
Целесообразность его использования обусловлена возможностью
получения относительно простых решений, приемлемых для прикладных
задач.
С учетом изложенного краевая
задача релаксационных процессов в
p-n
переходе с обратным смещением
генератором напряжения включает
уравнение (5.37), начальное условие
(5.38) и граничное условие (5.40).
Решение ее имеет вид
T
n
eTXerfPTXP
= )2/(),( , (5.41)
где
P
n
начальное значение
концентрации НН, определяемое по
уравнению (5.36).
На рис. 5.5 представлена нормированная переходная характеристика
концентрации НН для разных моментов времени.
.)2/(/),(),(
T
np
eTXerfPTXPTXH
==
X
0
1
2
0.5
H
P
(
X,T
)
T=0
T=0,3
T=0,1
T=0,2
T=
Рис. 5.5. Переходная характе-
ристика концентрации НН