Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 110 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

110
Плотность диффузионного тока через
p-n переход в процессе
релаксации находится с учетом (5.41)
TL
eTXqDP
X
TXP
qDTj
T
X
π
−=
∂
∂
−=
−
=
),(),(
)(
0
. (5.42)
Результаты расчета плотности тока при переключении
толстобазового диода из режима прямого тока в режим обратного
напряжения приведены в [1]
−
π
−=
−
Terfc
T
e
L
TXqDP
Tj
T
s
),(
)( . (5.43)
Из выражений (5.42) и (5.43) следует оценка
T
e
Terfc
Tj
Tj
TH
T
s
π−==
−
1
)(
)(
)(
, (5.44)
т.е. при равных значениях концентраций неосновных носителей на границе
p-n перехода плотность переходного тока после импульсного облучения
значительно, в несколько раз, превышает плотность режимного
переходного тока, особенно в области времен
T>0,2. Это объясняет
существенное отличие амплитудно-временных характеристик
ионизационных и режимных обратных переходных токов
p-n переходов
при обратном смещении генератором напряжения.
Из (5.42) и (5.43) следует, что в начальный момент времени
T=0
обратный ток через
p-n переход имеет бесконечное значение. Это
объясняется идеализацией граничного условия (5.40), эквивалентного
нулевому значению сопротивления цепи замыкания обратного тока.
Следствием этого является невозможность получения теоретических
оценок длительностей релаксационных процессов.
Коррекция начального участка переходной характеристики (5.42)
предусматривает определение амплитуды плотности тока в начальный
момент времени
j(0) или момента времени T
1
, начиная с которого
теоретическая модель (5.42) дает значения плотности переходного тока,
совпадающие с экспериментальными данными. Для этого достаточно
воспользоваться широко распространенной оценкой амплитуды импульса
ионизационного тока через
p-n переход при обратном смещении
генератором напряжения [9] и др.
),(
WLLSqgPI
nnppi
+λ+λ=
γ
(5.45)
где S – площадь
p-n перехода,
np
LL , - диффузионные длины носителей в
p и n областях, W – толщина переходной области,
np
λλ , - коэффициенты
собирания носителей в
p и n областях, изменяются в пределах 0,4…0,8 в

Страницы