Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 112 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

112
1,0/1/
12
2
=+ TTe
T
. (5.50)
Решение (5.50) методом последовательных приближений приводит к
оценкам )(
12
TT . Известная
длительность переходного
процесса позволяет определить
толщину прилегающего к p-n
переходу слоя базы Х
2
, в котором
происходят обусловленные
диффузией изменения
концентрации НН за время Т
2
.
Этим слоем толщиной Х
2
ограничивается область базы,
прилегающей к p-n переходу, в
которой проявляется влияние
граничного условия (5.40).
Следовательно, краевая задача
(5.37)-(5.40) и их решение распространяются на p-n переходы с толщиной
области базы, превышающей толщину чувствительного слоя d>X
2
.
Принимая за граничное значение Х
2
, при котором концентрация НН
вследствие диффузионных процессов уменьшается до уровня 0,9Р за время
Т
2
, из решения (2.6) получаем
22
33,2 TX = , (5.51)
что соответствует абсолютной оценке
22
33,2 DtX = (5.52)
Из формул (5.51), (5.52) следует, что полученные оценки параметров
переходных процессов распространяются на p-n переходы при выполнении
условия
2
Xd ≥ . Это условие часто выполняется для p-n переходов в
составе дискретных транзисторов
и интегральных микросхем.
На рис. 5.7 представлены
результаты расчетов
нормированных характеристик
Т
2
(k) и X
2
(k) по (5.50) и (5.51) для
значений D=2·10
-5
м
2
·с
-1
,
8
105,1
−
γ
⋅=t с. Из рис. 5.7 следует,
что увеличение обобщенного
0
1
2
T
0.5
H
j
(T)
2
3
1
4
Рис. 5.6. Нормированные переход-
ные характеристики плотности
ионизационного тока: T
1
=0,0001(1);
T
1
=0,001(2); T
1
=0,01 (3); T
1
=0,1 (4)
X
2
T
2
0
2
10
Рис. 5.7. Зависимость Х
2
от Т
2

Страницы