Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 113 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

113
параметра k, обусловленное при неизменной длительности
γ
t
уменьшением времени жизни НН, сопровождается монотонным
возрастанием Т
2
и Х
2
.
Полученные результаты показывают, что нестационарные процессы
распределения концентраций НН и формирования импульса переходного
тока в режиме короткого замыкания p-n перехода подчиняются более
простым закономерностям при воздействии гамма-импульсного облучения
по сравнению со случаем переключения из режима прямого тока в режим
обратного напряжения. Это является следствием выполнения режима
слабого поглощения и вытекающего из него граничного условия (5.40),
упрощающего решение краевой задачи.
Рассмотренное решение краевой задачи релаксационных процессов в
р-п переходе предполагает использование для создания обратного
смещения генератора напряжения. Исследование таких процессов в р-п
переходах при больших по сравнению с сопротивлением перехода и
базовой области нагрузочных сопротивлениях во внешней цепи возможно,
когда источник обратного смещения представлен генератором тока.
Формальная постановка рассматриваемой задачи предусматривает
решение уравнения диффузии с определенными начальным и граничным
условиями. Воздействие импульса ионизирующего излучения при
соответствующем выборе спектрально-энергетических характеристик
вызывает равномерную ионизацию р- и n-областей диода, т.е. обеспечивает
одинаковую концентрацию неосновных носителей для любой точки
пространства области базы. Начальное условие для одномерной модели
имеет вид
,const)0,( ==
n
PXP (5.53)
где
н
P
- концентрация НН - дырок для базы n-типа проводимости; Х -
нормированная координата, Х = x/L, x – координата; L - диффузионная
длина неосновных носителей.
Граничное условие определяет закон изменения концентрации НН на
границе p-n перехода во времени. Учитывая зависимость плотности тока j
через p-n переход от градиента концентрации НН на границе:
()
,
,0),(
0
X
TPL
q
X
TXP
qDj
X
∂
∂
τ
−=
∂
∂
−=
=
где q - заряд электрона; D - коэффициент диффузии НН; τ - время жизни
НН в области базы; Т - нормированное время; Т=t/τ, представим граничное
условие в виде
() ()
,const
,0
=τ
+
−=
∂
∂
qRSL
TUU
X
TP
(5.54)

Страницы