ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
114
где U - напряжение источника смещения; U(T) - напряжение на p-n
переходе; S - площадь р-п перехода.
Практическая реализация начального условия (5.53) возможна при
соответствующем выборе параметров источника ИИ: энергии гамма-
квантов E, плотности потока ϕ, длительности импульса t
γ
. Зависимость
концентрации Р НН от параметров ионизирующего излучения подчиняется
простым закономерностям:
,EtgDP ψτµ⋅=τ=
γγγ
8
107,6
(5.55)
где g - число электронно-дырочных пар, генерируемых в единичном
объеме полупроводника в единицу времени при поглощении 1 Дж энергии
излучения, м
-3
⋅с
-1
; D
γ
-поглощенная доза, Гр; t
γ
- длительность импульса
ИИ, с;
µ - массовый коэффициент поглощения для средней энергии гамма-
кванта, м
-2
⋅кг
-1
; E
γ
- усредненная по спектру энергия гамма-кванта, МэВ; ψ
- плотность потока гамма-квантов, м
-2
⋅c
-1
.
Диффузионное уравнение
()
n
PTXP
X
TXP
T
TXP
−−
∂
∂
=
∂
∂
),(
),(),(
2
2
(5.56)
вместе с начальным условием (5.53) и граничным условием (5.54)
составляют краевую задачу, решение которой позволяет установить
закономерность изменения концентрации НН в области базы как
результата процессов диффузии и объемной рекомбинации.
Решение рассматриваемой краевой задачи требует использования
специальных математических методов для уравнений параболического
типа. Такие уравнения применимы для описания как процессов диффузии,
так и процессов распространения тепла в тонком стержне, что лежит в
основе метода диффузионно-тепловой аналогии. Это позволяет
использовать известные решения ряда краевых задач в теории
теплопроводности тонкого стержня для синтеза решений краевых задач
диффузионных процессов в p-n переходах.
Выполнение формальных преобразований приводит к решению
задачи (5.53), (5.54), (5.56) в виде нормированной переходной
характеристики для концентрации НН в базе диода
()
()
()
,
2
1
2
1
,
,
4/
2
−−
π
−=
==
−−
T
X
erfXe
T
P
P
e
P
TXP
TXH
TX
e
T
p
(5.57)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 112
- 113
- 114
- 115
- 116
- …
- следующая ›
- последняя »
