Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 115 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

115
где
qDjLP
e
= - эквивалентная концентрация НН на границе p-n
перехода, соответствующая плотности обратного тока j; erf - функция
ошибок.
На рис. 5.8 представлены
полученные по (5.57)
распределения концентраций НН
в приграничных областях базы
для различных моментов времени
и нормированных начальных
концентраций. Наблюдается
закономерность увеличения
длительности Т
1
первой стадии
переходного процесса, когда
концентрация НН на границе p-n
перехода уменьшается до
значения Р(0,T
1
)=0 по мере
увеличения отношения Р/Р
е
. Это
происходит при больших
значениях P
γ
и соответственно Р
либо при уменьшении плотности обратных переходных ионизационных
токов j
1
. На границе p-n перехода концентрация НН определяется по (5.57)
при Х=0
()
.21,0
π
−=
−
T
P
P
PeTP
e
T
(5.58)
При условии P(0,T
1
) = 0 из формулы (5.58) вытекает зависимость
длительности первой фазы переходного процесса от режимов облучения в
соответствии с (5.55) и релаксации, характеризуемой величиной P
e
:
.
),(
4
2
1
π
=
e
P
TXP
T (5.59)
Решение уравнений (5.55) и (5.59) приводит к результату
,4
22222
1
jDPgqt τπ=
γ
(5.60)
где t
1
- длительность первой фазы переходного процесса. Уравнение (5.60)
устанавливает зависимость между электрофизическими характеристиками
D, τ образца, режимами измерения j, облучения P
γ
и длительностью t
1
.
Рис. 5.8. Нормированные переходные ха-
рактеристики распределения концентра-
ций НН в базе диода в моменты времени
Т=1(1) и Т=2(2) при нормированных
начальных концентрациях
P/P
e
=2(3) и
P/P
e
=5(4)

Страницы