ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
122
являлось одной из целей написания настоящего учебного пособия. Другая
цель предусматривает переход от абстрактных представлений о
закономерностях генерации, рекомбинации и переноса носителей заряда в
полупроводниках, изучаемых в курсе “Физические основы
микроэлектроники”, к конкретным проявлениям их в электрических
характеристиках полупроводниковых приборов и микросхем. Навыки
постановки и решения краевых задач нестационарной электропроводности
в полупроводниках, приобретенные в результате изучения материала
учебного пособия, по мнению авторов, являются основой для решения
инженерных и исследовательских задач разработки электронных средств
различного назначения, подвергаемых в процессе эксплуатации внешним
воздействиям различной физической природы. Специфика проблем
анализа и синтеза стойких к воздействиям внешних факторов электронных
микроструктур может быть учтена в рамках рассматриваемого
методологического подхода.
Уместно отметить, что ближайшие перспективы развития
электроники связаны с промышленными технологиями функциональной
электроники и наноэлектроники. Это приведет к существенному
изменению содержания задач проектирования электронных средств.
Различные нестационарные и релаксационные эффекты в
полупроводниках (более 20) лежат в основе процессов передачи, хранения
и обработки информации в устройствах функциональной электроники.
Закономерности переноса единичной микрочастицы в силовых полях
кристаллической решетки полупроводника используются в
наноэлектронике. Математические модели подобных процессов являются
основой для разработки устройств функциональной и наноэлектроники.
Поэтому содержание настоящего пособия можно рассматривать как
введение в теорию функциональных и наноэлектронных устройств.
