ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
121
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Нестационарные процессы в однородных полупроводниках и p-n
переходах в значительной мере определяют быстродействие биполярных и
МДП микросхем. Математическое моделирование подобных процессов
при воздействии режимных факторов – двоичных сигналов является
необходимым условием получения расчетных оценок быстродействия
микроструктур вцелом. Определение амплитудно-временных
характеристик электрических откликов p-n переходов на действие
внешних факторов (импульсы напряжения или тока, импульсные
излучения) - необходимое условие для расчетов показателей надежности
цифровых и аналоговых микросхем по отказам сбойного характера.
Теоретические модели нестационарных эффектов в полупроводниках
совместно с учетом особенностей схемотехники и структурной
организации часто позволяют рассчитать динамические параметры и
показатели надежности по отказам сбойного характера для реальных
микросхем.
Закономерности формирования электрических откликов p-n
переходов на воздействия различной физической природы особенно важно
учитывать на стадии топологического проектирования микросхем, когда
техническое задание предусматривает обеспечение стойкости к
воздействиям внешних факторов определенной интенсивности. В
устройствах оптоэлектроники и интегральной оптики, когда информация
переносится излучениями оптического диапазона, такие закономерности
непосредственно определяют информационные характеристики и
показатели надежности соответствующих систем.
Особенности пространственно-временного распределения
концентраций неравновесных носителей в каждом конкретном случае
обусловливают формы импульсов переходных токов и напряжений на
полупроводниковых элементах, а также длительности переходных
состояний при воздействиях различных факторов. Исследование их
предусматривает постановку и решение краевых задач нестационарной
электропроводности, адекватно отображающих основные особенности
процессов.
Отмеченные проблемы определили содержание настоящего учебного
пособия. Изучение фундаментальных закономерностей пространственно-
временного распределения концентраций неравновесных носителей в
полупроводниках во взаимосвязи с внешними проявлениями этих
процессов в виде электрических откликов создает предпосылки для
решения прикладных задач с единых методологических позиций. Освоение
методологии подобного анализа на примерах решения различных задач
