Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 120 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

120

16. Особенности процессов релаксации электронной системы при

обратном смещении p-n перехода генератором напряжения.

17. Особенности моделирования формы импульса релаксационного

тока в начальный момент после окончания импульса ионизирующего

излучения при обратном смещении p-n перехода генератором напряжения.

18. Оценки значений минимальной толщины базовой области p-n

перехода, для которых выполняется условие полубесконечного

приближения.

19. Особенности постановки краевой задачи релаксации электронной

системы полупроводника к состоянию равновесия при обратном смещении

p-n перехода генератором тока.

20. Особенности процессов релаксации электронной системы к

состоянию равновесия при обратном смещении p-n перехода генератором

тока.

21. Факторы, пределяющие длительность первой стадии процесса

релаксации электронной системы к состоянию равновесия при обратном

смещении p-n перехода генератором тока.

22. Форма импульса релаксационного напряжения на p-n переходе

при обратном смещении p-n перехода генератором тока.

23. Взаимосвязь между длительностью первой стадии переходного

процесса релаксации электронной системы и толщиной прилегающего к p-

n переходу слоя базы с меняющейся концентрацией при обратном

смещении p-n перехода генератором тока.

24. Форма импульса релаксационного тока p-n перехода при

обратном смещении генератором тока.