ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
120
16. Особенности процессов релаксации электронной системы при
обратном смещении p-n перехода генератором напряжения.
17. Особенности моделирования формы импульса релаксационного
тока в начальный момент после окончания импульса ионизирующего
излучения при обратном смещении p-n перехода генератором напряжения.
18. Оценки значений минимальной толщины базовой области p-n
перехода, для которых выполняется условие полубесконечного
приближения.
19. Особенности постановки краевой задачи релаксации электронной
системы полупроводника к состоянию равновесия при обратном смещении
p-n перехода генератором тока.
20. Особенности процессов релаксации электронной системы к
состоянию равновесия при обратном смещении p-n перехода генератором
тока.
21. Факторы, пределяющие длительность первой стадии процесса
релаксации электронной системы к состоянию равновесия при обратном
смещении p-n перехода генератором тока.
22. Форма импульса релаксационного напряжения на p-n переходе
при обратном смещении p-n перехода генератором тока.
23. Взаимосвязь между длительностью первой стадии переходного
процесса релаксации электронной системы и толщиной прилегающего к p-
n переходу слоя базы с меняющейся концентрацией при обратном
смещении p-n перехода генератором тока.
24. Форма импульса релаксационного тока p-n перехода при
обратном смещении генератором тока.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 118
- 119
- 120
- 121
- 122
- …
- следующая ›
- последняя »
