Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 119 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

119
2. Формальное представление и физический смысл уравнения
диффузии для стационарных и нестационарных процессов воздействия
квантовых излучений.
3. Физический смысл и формальное определение объемной скорости
генерации носителей в полупроводниках при воздействии излучений
оптического диапазона.
4. Закономерности стационарного распределения концентраций
неравновесных носителей по координате в базовой области p-n перехода в
условиях сильного и слабого поглощений квантовых излучений.
5. Факторы, определяющие чувствительность фоторезистора в
условиях сильного поглощения квантовых излучений оптического
диапазона.
6. Объясните качественные и количественные отличия
коэффициентов чувствительности фотоприемников на основе
полупроводниковых беспримесных фоторезисторов конечной и
бесконечной толщины.
7. Формальное представление краевой задачи импульсного
квантового облучения полупроводников.
8. Физический смысл и графическая интерпретация обобщенной
переходной характеристики импульсного квантового облучения
собственного полупроводника в условиях слабого поглощения.
9. Физический смысл и графическая интерпретация обобщенной
переходной характеристики импульсного квантового облучения
полупроводника в условиях сильного и слабого поглощения.
10. Факторы, определяющие длительность нестационарных
состояний при импульсном облучении фоторезисторов в условиях слабого
поглощения.
11. Факторы, определяющие длительность релаксационных
процессов после окончания импульса облучения фоторезисторов в
условиях сильного и слабого поглощения.
12. Факторы, определяющие быстродействие фотоприемников на
основе полупроводниковых фоторезисторов.
13. Особенности взаимодействия излучений рентгеновского и гамма-
диапазонов с полупроводниками.
14. Факторы, определяющие интенсивность образования электронно-
дырочных пар в полупроводнике при воздействии ионизирующих
излучений.
15. Особенности постановки граничной задачи релаксации
электронной системы полупроводника к состоянию равновесия после
окончания действия ионизирующих излучений при обратном смещении p-
n перехода генератором напряжения.

Страницы