Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 118 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

118
()
()
.
2
1
1,
1
411
1
1
2
π
−=
π−−
T
T
erfeTTH
TT
I
(5.68)
На рис. 5.9 представлены
построенные согласно (5.68) зависимости,
отражающие особенности изменения
переходного тока на второй стадии
процесса релаксации.
Результаты теоретических и
экспериментальных исследований
показали, что применение
математических методов решения
краевых задач в теории теплопроводности
полубесконечного стержня к задачам
кинетики неравновесных носителей в p-n
переходах, облученных импульсами
ионизирующих излучений, позволяет в
ряде случаев синтезировать адекватные
математические модели процессов
распределения концентраций НИ по
координате и времени. Создаются
достаточные условия для разработки
моделей переходных токов и напряжений, необходимых для решения ряда
теоретических и прикладных задач. В частности, появляется теоретическое
обоснование для применения ИИ как инструмента исследования
электрофизических характеристик полупроводников, предусматривающего
возможность определения мгновенного времени жизни НН. Полученные
результаты могут быть использованы для решения задач дозиметрии в
полях импульсных ИИ высокой интенсивности, а также расчетов значений
показателей радиационной стойкости электронной аппаратуры.
Актуальность теоретических оценок возрастает, когда расчетные методы
являются основным способом получения количественных оценок
параметров быстрых процессов в образцах с малыми значениями времени
жизни НН (единицы и доли наносекунд).
5.3. Контрольные задания
1. Отличия механизмов
создания неравновесных концентраций
неосновных носителей в базовой области p-n перехода в результате
инжекции и под воздействием квантовых излучений.
Рис. 5.9. Нормированные пере-
ходные характеристики тока для
второй стадии релаксационного
процесса
2
I
H для различных
значений длительности первой
стадии
Т
1

Страницы