ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
20
()()
VVNN
NNq
SC
da
da
−+
εε
=
к
0
2
, (1.29)
где
S - площадь перехода.
Для несимметричного перехода
da
NN >>
величина емкости
практически не зависит от свойств
р-области
()
VV
Nq
SC
d
−
εε
=
к
0
2
. (1.30)
Выражение (1.30) используется для определения контактной
разности потенциалов и концентрации донорной примеси. Для этого,
определяя зависимость С(V), строят график
)(/1
2
VfС =
. При
0/1
2
=С
должно выполняться условие
VV =
к
, т.е. на оси абсцисс отсекают отрезок,
равный величине
к
V
.
Измерения емкости перехода при положительном
смещении могут встретить трудности технического характера, поэтому
определение
к
V возможно экстраполяцией зависимости )(/1
2
VfС = при
запирающем смещении перехода.
Известные величины C, V,
к
V,
E позволяют по зависимости (1.30)
определить концентрацию донорной примеси
d
N
для резкого перехода, а
также толщину обедненного слоя
0
W .
1.6. Контрольные задания
1.
Соотношения между концентрациями основных и неосновных
носителей заряда в p и n-областях p-n перехода.
2.
Признаки резкого p-n перехода.
3.
Факторы, определяющие концентрацию свободных носителей
заряда в примесном полупроводнике.
4.
Взаимосвязи между концентрациями свободных носителей заряда
в беспримесном и примесном полупроводниках.
5.
Факторы, определяющие высоту потенциального барьера в p-n
переходе.
6.
Взаимосвязи между высотой потенциального барьера в p-n
переходе и концентрациями примесей в p
+
и n-областях.
7.
Физический смысл понятия ”эффективная плотность состояний“.
8.
Взаимосвязи между концентрациями дырок и электронов в p и n-
областях.
9.
Факторы, определяющие плотности электронного и дырочного
токов через p-n переход.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- …
- следующая ›
- последняя »
