ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
21
10.
Физический смысл и определение подвижности носителей
заряда.
11.
Физический смысл и определение коэффициентов диффузии
носителей заряда.
12.
Физический смысл уравнений непрерывности для электронов и
дырок.
13.
Вольтамперная характеристика p-n перехода.
14.
Факторы, определяющие величину барьерной емкости резкого
p-n перехода.
15.
Взаимосвязь величины барьерной емкости с положением уровня
Ферми в n-области для резкого p
+
-n перехода.
1.7. Задачи и упражнения
1.
Ширина запрещенной зоны для кремния 1,13 эВ. Определить
концентрации электронов и дырок в беспримесном кремнии при
температурах 200, 300 и 400 К.
2.
Энергии активации бора, фосфора, сурьмы и мышьяка в кремнии
составляют соответственно 0,045; 0,044; 0,049; 0,039 эВ. Полагая, что
уровень Ферми размещается в середине примесной зоны при Т=300 К,
определить концентрации дырок и электронов в p
+
и n-областях диода при
легировании их различными примесями.
3.
Известна контактная разность потенциалов
к
V =0,69 В.
Определить соотношения концентраций основных и неосновных
носителей в р и п-областях полупроводникового диода.
4.
Задана высота потенциального барьера p
+
-п перехода, известно
соотношение концентраций основных и неосновных носителей в п-
области. Определить тип и концентрацию легирующих примесей в р-
области, полагая Т=300 К.
5.
Определить вероятности нахождения электронов на уровнях
F±0,1 эВ при температурах 0, 200, 300 и 1000 К.
6.
Используя закон действующих масс для равновесного состояния
полупроводника
2
i
nnp = , условие электронейтральности
ad
NnNp +=+ ,
где
d
N ,
a
N
- концентрации донорных и акцепторных примесей,
определить концентрации электронов и дырок в примесном
полупроводнике по известным значениям
d
N и
a
N .
7.
Используя распределение Ферми-Дирака для примесного
полупроводника
()
+=
− kTFE
ddn
d
eNN
/
2
1
11/, где
dn
N - концентрация
нейтральных атомов донорной примеси;
d
E
- энергия донорного уровня,
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- …
- следующая ›
- последняя »
