Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 23 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

23
Глава 2. НЕСТАЦИОНАРНЫЕ ПРОЦЕССЫ
В p-n ПЕРЕХОДАХ
2.1. Физические основы работы полупроводниковых диодов
в нестационарных режимах
Примером нестационарного процесса в p-n переходе является
переключение его из нейтрального состояния в режим прямого смещения
воздействием импульса тока или напряжения. На рис. 2.1 представлена
упрощенная модель p-n перехода (а) и эквивалентная схема электрической
цепи (б).
Рис. 2.1. Упрощённая одномерная модель p-n
перехода (а) и эквивалентная схема электрической
цепи (б)
Структура диода содержит высоколегированную p-область с
концентрацией акцепторных примесей
32725
м1010
−
−=
a
N , переходную
область, обедненную носителями заряда, и n-область, называемую в
дальнейшем базой, с концентрацией донорных примесей
32523
м1010
−
−=
d
N . Упрощенный анализ нестационарных процессов
выполняется в предположении равномерного распределения по координате
примесей в p и n-областях. Отмеченные особенности позволяют
исследовать одномерную модель резкого p-n перехода с однородными p и
n-областями, для которых распределение равновесных и неравновесных
неосновных носителей
по энергиям
происходит в
соответствии с законом
Рис. 2.2. Зонная диаграмма p-n перехода

Страницы