ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
22
определить относительную долю ионизированных атомов фосфора с
энергией активации эВ044,0=−
dc
EE при температурах 50, 100 и 300 К.
8.
Для кремния с известной концентрацией донорных примесей
определить температуру, при которой концентрация неосновных
носителей составляет заданную долю относительно концентрации
основных носителей.
9.
Определить концентрацию электронов и дырок в кремнии в
состоянии термодинамического равновесия после легирования его
атомами сурьмы с концентрацией 5·10
19
м
-3
. Определить концентрации
носителей после легирования атомами бора с концентрацией 2·10
18
м
-3
при
Т=300 К.
10.
Полупроводник легируется акцепторными и донорными
примесями с равными концентрациями. Определить отличия
результирующих концентраций электронов и дырок от соответствующих
значений для собственного полупроводника при Т=300 К.
11.
Кремниевая пластина п-типа имеет толщину d=2·10
–4
м и
удельное сопротивление ρ=1·10
-3
Омּм. К пластине приложена разность
потенциалов V=1В. Вычислить плотность тока, время переноса носителей
заряда, отношение плотностей токов электронов и дырок. При расчетах
полагать
n
µ
=0,135 м
2
ּВ
-1
ּс
-1
,
p
µ
=0,05 м
2
ּВ
-1
ּс
-1
, n
i
=2,4·10
19
м
-3
.
12.
В кремнии п-типа при Т=300 К распределение концентрации
донорных примесей вдоль оси Х соответствует функции
() ( )
0
/exp xxNxN
d
−= . Полагая
() ()
xNxn
d
= , определить напряженность
внутреннего электрического поля, плотности диффузионного и
дрейфового токов электронов в зависимости от
d
N
. При расчетах принять
D
n
=4·10
-3
м
2
ּс
-1
,
n
µ
=0,14 м
2
ּВ
-1
ּс
-1
.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- …
- следующая ›
- последняя »