Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 36 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

36
концентраций НН в базовой области n-типа по координате и во времени
отображается уравнениями
плотности тока
x
p
qDpEqj
Ppp
∂
∂
−µ= ; (2.9)
непрерывности
x
j
q
pp
t
p
p
p
n
∂
∂
−
τ
−
−=
∂
∂ 1
; (2.10)
Пуассона
()
nn
npnp
q
x
E
+−−
ε
π
=
∂
∂ 4
. (2.11)
В уравнениях (2.9) - (2.11)
nn
ppnn ,,, - полная и равновесная
концентрация электронов и дырок соответственно в базовой области n-
типа;
p
µ
– подвижность дырок;
p
τ – время жизни дырок в базовой
области; Е – напряженность электрического поля в произвольной области
базы; ε - диэлектрическая проницаемость полупроводника.
Согласно уравнению непрерывности скорость изменения
концентрации НН
t
p
∂∂
/
в произвольной точке пространства определяется
скоростью процесса рекомбинации
()
pn
pp τ− и скоростью процесса
диффузионного и дрейфового переноса носителей из данной точки
пространства.
В общем случае система уравнений (2.9) - (2.11) является нелинейной.
В приближении низкого уровня инжекции выполняется условие
n
ntxp <<),(, позволяющее рассматривать электронную систему в
состоянии термодинамического равновесия, когда выполняется условие
электрической нейтральности
)()(
nn
nnnppp −=δ=−=δ
в любой области базы.
Из уравнения Пуассона следует независимость напряженности
электрического поля в базе от координаты, а из (2.9) и (2.10) -
p
n
pp
pp
x
p
E
x
p
D
t
p
τ
−
−
∂
∂
µ−
∂
∂
=
∂
∂
2
2
. (2.12)
Обычно проводимость базы значительно превышает собственную
проводимость полупроводника и проводимость p-n перехода. Это означает,
что внешнее напряжение, прикладываемое к диоду, практически
полностью сосредоточено в области p-n перехода, что позволяет

Страницы