Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 39 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

39
при изучении процессов переключения диода из нейтрального в
проводящее состояние воздействием импульса прямого тока или
напряжения начальное условие
()
n
PXP =0, означает, что исходная
концентрация НН в любой точке области базы равна равновесной.
Протекание постоянного прямого тока через p-n переход сопровождается
формированием стационарного распределения концентрации НН по
координате в области базы, которое во многих случаях близко к
экспоненциальному. Тогда исследование переходных процессов
переключения p-n переходов из режима прямого тока в режим смещения
обратным напряжением сводится к решению краевой задачи с начальным
условием
X
ePXP
−
= )0,0()0,(,
где
()
0,0P – концентрация НН на границе p-n перехода (Х=0) в начальный
момент времени (Т=0). На рис. 2.6 представлены графические
интерпретации рассмотренных выше типов начальных условий.
Рис. 2.6. Графическая интерпретация начальных условий: а - исходная
равновесная концентрация неосновных носителей; б - равномерное
распределение; в - экспоненциальное распределение концентрации НН в области
базы
В общем случае начальное условие может отражать сложную
функциональную зависимость концентрации НН от координаты. Обычно
усложнение начальных условий сопровождается возрастанием трудностей
получения адекватных математических моделей приемлемой для решения
прикладных и теоретических задач сложности. Поэтому обоснованный
выбор начального условия и соответственно метода исследования,
обеспечивающего реализацию такого условия – составляющие проблемы
исследований нестационарных процессов в полупроводниках.
Граничные условия - это необходимый классификационный признак
краевых задач. Они отражают закономерности процесса на границах
исследуемой области, что позволяет из множества интегральных кривых –
решений дифференциального уравнения - выбрать единственное,

Страницы