Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 43 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

43
4. Зависимость коэффициента инжекции от концентрации примесей
для резкого p-n перехода.
5. Факторы, определяющие стационарные и нестационарные
распределения концентраций неравновесных неосновных носителей заряда
в базовой области p-n перехода при воздействии импульса прямого тока
(напряжения).
6. Влияние внутреннего сопротивления источника прямого смещения
на закономерности стационарных и нестационарных распределений
концентраций неравновесных НН в базовой области p-n перехода.
7. Особенности пространственно-временного распределения
неравновесных неосновных носителей в базовой области p-n перехода при
воздействии импульса прямого тока.
8. Особенности пространственно-временного распределения
неравновесных НН в области базы при воздействии импульса напряжения
прямого смещения.
9. Критериальные оценки “короткого” и “длинного” импульсов,
“толстой” и “тонкой” базовой области.
10. Особенности распределения концентраций неравновесных
неосновных носителей по координате и во времени в n-области при
воздействии “короткого” импульса прямого тока.
11. Особенности распределения концентраций неравновесных НН по
координате и во времени в n-области p-n перехода при воздействии
“короткого” импульса напряжения.
12. Особенности распределения концентраций неравновесных
неосновных носителей в базовой области диода по координате и во
времени при воздействии “длинного” импульса тока.
13. Особенности распределения концентраций неравновесных НН в
базовой области p-n перехода по координате и во времени при воздействии
“длинного” импульса напряжения.
14. Влияние толщины базовой области диода на распределение
неравновесных неосновных носителей по координате и во времени при
воздействии “коротких” и “длинных” импульсов прямого тока.
15. Влияние толщины базовой области p-n перехода на
распределение неравновесных НН по координате и во времени под
воздействием “коротких” и “длинных” импульсов напряжения прямого
смещения.
16. Характеристики (типы) контактов к базовой области диода и
влияние их на пространственно-временное распределение концентраций
неравновесных неосновных носителей в тонко- и толстобазовых диодах
при воздействии импульсов прямого тока.

Страницы