Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 44 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

44
17. Характеристики (типы) контактов к базовой области диода и
влияние их на пространственно-временное распределение концентраций
неравновесных НН в тонко- и толстобазовых диодах при воздействии
импульсов напряжения прямого смещения.
18. Основные отличия нестационарных процессов нарастания и
спада концентраций неравновесных неосновных носителей при
воздействиях “коротких” и “длинных” импульсов прямого тока на p-n
перехода.
19. Основные отличия процессов нарастания и спада концентраций
неравновесных НН при воздействии “коротких” и “длинных” импульсов
напряжения прямого смещения на p-n переход.
20. Отличия процессов нарастания и спада концентраций
неравновесных неосновных носителей в диодах с “тонкой” базой при
воздействии импульсов прямого тока.
21. Отличия процессов нарастания и спада концентраций
неравновесных НН в диодах с “толстой” базой при воздействии импульсов
напряжений прямого смещения.
22. Краевая задача: определение и характеристики.
23. Определение и классификация начальных условий краевой
задачи.
24. Определение, назначение и классификация граничных условий
краевой задачи.
25. Смысловая и физическая интерпретация граничных условий
различных типов.
26. Смысловая и физическая интерпретация начальных условий
различных типов.
2.4. Вопросы для тестирования
1. Амплитудно-временные характеристики переходных токов и
напряжений в р
+
-n переходах определяются:
1.1. Концентрацией примеси в р
+
-области;
1.2. Концентрацией и распределением по координате примесей в n-
области;
1.3. Амплитудно-временными характеристиками (АВХ)
воздействующих режимных факторов и концентрацией примеси в р
+
-
области.;
1.4. Амплитудно-временными характеристиками (АВХ) режимных
факторов и концентрацией примеси в n-области;
1.5. Характеристиками внешней электрической цепи,
электрофизическими и геометрическими характеристиками n-области.

Страницы