Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 45 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

45
2. При увеличении сопротивления внешней электрической цепи
замыкания переходных токов полупроводникового диода градиент
граничной концентрации неосновных примесей в базовой области :
2.1. Возрастает;
2.2. Убывает;
2.3. Остается неизменным;
2.4. Возрастает в диодах с тонкой базой;
2.5. Убывает только при увеличении длительности воздействующего
импульса напряжения;
2.6. Возрастает при увеличении амплитуды воздействующего
импульса напряжения.
3. Воздействие импульса прямого тока на полупроводниковый диод
сопровождается формированием выброса на импульсе переходного
напряжения, если:
3.1. Диод с тонкой высоколегированной базой;
3.2. Диод с толстой низколегированной базой;
3.3. Диод с тонкой низколегированной базой;
3.4. Диод с толстой высоколегированной базой;
3.5. На диод с толстой базой и высокой концентрацией примесей
действует короткий импульс прямого тока;
3.6. На диод с тонкой базой действует длинный импульс прямого
тока.
4. Емкостная реакция полупроводникового диода на импульс
прямого тока обусловлена:
4.1. Тонкой базой и низким уровнем легирования;
4.2. Толстой базой и низким уровнем легирования;
4.3. Тонкой базой и высоким уровнем легирования;
4.4. Толстой базой и высоким уровнем легирования;
4.5. Действием короткого импульса на диод с тонкой базой и
высоким уровнем легирования базовой области;
4.6. Действием длинного импульса на диод с низким уровнем
легирования базовой области.
5. Временная зависимость напряжения на собственно р-п переходе
при воздействии электрических сигналов ступенчатой формы на
полупроводниковый диод определяется:
5.1. Концентрацией легирующих примесей и толщиной базовой
области;
5.2. Длительностью импульса прямого смещения;
5.3. Сопротивлением электрической цепи;
5.4. Скоростью поверхностной рекомбинации на границе р-п
перехода;

Страницы