Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 47 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

47
8.5. Среднюю скорость теплового движения неосновных носителей в
приконтактной области;
8.6. Градиент концентрации неосновных носителей на границе
области базы.
9. Применение инжектирующих контактов сопровождается:
9.1. Повышением скорости протекания переходных процессов;
9.2. Увеличением длительности переходных процессов;
9.3. Возрастанием плотности диффузионного тока неосновных
носителей через контакт;
9.4. Уменьшением заряда неосновных носителей в области базы при
протекании прямого тока;
9.5. Изменением времени жизни неосновных носителей в базовой
области диода;
9.6. Повышением скорости поверхностной рекомбинации.
10. Начальное условие краевой задачи отражает:
10.1. Закон распределения концентрации
неосновных носителей по
координате в базовой области р-п перехода в течение переходного
периода;
10.2. Распределение концентрации неосновных носителей по
координате в стационарном состоянии;
10.3. Распределение концентрации неосновных носителей в базовой
области по координате в начальный момент времени;
10.4. Распределение концентрации неосновных носителей по
координате и во времени в начальный момент времени;
10.5. Закон изменения концентрации неосновных носителей во
времени на границе области базы.
11. Граничные условия характеризуют:
11.1. Значения концентраций неосновных носителей в начальный
момент времени на границах базовой области;
11.2. Законы изменения концентраций неосновных носителей
во
времени на границах базовой области;
11.3. Закон изменения концентрации неосновных носителей по
координате;
11.4. Стационарное распределение концентрации неосновных
носителей по координате;
11.5. Величины градиентов концентраций неосновных носителей на
границах базовой области в начальный момент времени;
11.6. Скорости изменения концентраций неосновных носителей на
границах базовой области.

Страницы