Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 46 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

46
5.5. Толщиной и уровнем легирования базовой области;
5.6. Законом изменения концентрации неравновесных неосновных
носителей на границе р-п перехода во времени.
6. Форма импульса напряжения на полупроводниковом диоде при
переключении из нейтрального в состояние прямого смещения
обусловлена:
6.1. Толщиной базы, концентрацией примесей в базовой области и
длительностью управляющего сигнала;
6.2. Величиной сопротивления внешней цепи, длительностью
управляющего сигнала и толщиной области базы;
6.3. Соотношением сопротивлений внешней цепи и базовой области,
концентрацией легирующих примесей;
6.4. Амплитудно-временными характеристиками управляющего
сигнала;
6.5. Длительностью и амплитудно-временными характеристиками
управляющего сигнала;
6.6. Пространственно-временным распределением неосновных
неравновесных носителей в базовой области.
7. Дифференциальное сопротивление р-п перехода:
7.1. Равно интегральному сопротивлению прямосмещенного
перехода;
7.2. Больше интегрального сопротивления прямосмещенного
перехода;
7.3. Меньше интегрального сопротивления прямосмещенного
перехода;
7.4. Меньше интегрального сопротивления при обратном смещении
р-п перехода;
7.5. Больше интегрального сопротивления обратносмещенного р-п
перехода;
7.6. Отрицательно и больше интегрального сопротивления при
прямом смещении.
8. Скорость поверхностной рекомбинации на границе раздела
полупроводник – невыпрямляющий металлический контакт характеризует:
8.1. Плотность диффузионного тока неосновных носителей,
вытекающего через контакт во внешнюю цепь;
8.2. Число неосновных носителей заряда, рекомбинирующих в
единичном объеме приповерхностного слоя в единицу времени;
8.3. Среднее время жизни носителей заряда в приконтактной области
базы;
8.4. Дрейфовую скорость неосновных носителей приконтактной
области;

Страницы