Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 73 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

73
6.4. Появлением постоянного напряжения на
p-n переходе,
превышающим контактную разность потенциалов;
6.5. Падением до нулевого значения напряжения на
p-n переходе;
6.6. Положительным выбросом напряжения на полупроводниковом
диоде.
7. Включение нагрузочного сопротивления
н
R в цепь диода при
переключении его из режима стационарного прямого тока в нейтральное
состояние сопровождается:
7.1. Увеличением длительности переходного процесса спада
послеинжекционной ЭДС;
7.2. Сокращением длительности линейного участка спада
послеинжекционной ЭДС;
7.3. Сокращением длительности с перемещением
точки излома к
началу переходного процесса спада послеинжекционной ЭДС;
7.4. Сокращением длительности и увеличением амплитуды импульса
переходного процесса спада послеинжекционной ЭДС.

Страницы