Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. Устюжанинов В.Н - 72 стр.

UptoLike

72
3.2. Уменьшением градиента концентрации
неосновных носителей
на границе
p-n перехода;
3.3. Уменьшением до нуля концентрации неосновных носителей на
границе
p-n перехода;
3.4. Равномерным распределением концентрации
неравновесных
носителей по координате в базовой области
p-n перехода;
3.5. Возрастанием концентрации неравновесных носителей в базовой
области
p-n перехода.
4. Длительность
T
1
первой стадии переходного процесса
переключения диода из состояния стационарного прямого тока в режим
обратного смещения определяется:
4.1. Напряжением обратного смещения;
4.2. Величиной прямого тока;
4.3. Технологией изготовления
p-n перехода;
4.4. Соотношением величин прямого и обратного токов;
4.5. Величиной сопротивления в цепи замыкания тока
p-n перехода;
4.6. Величиной сопротивления и напряжения обратного смещения
p-
n
перехода.
5. Напряжение на
p-n переходе на первой стадии переключения
диода из состояния протекания стационарного прямого тока в режим
обратного смещения определяется:
5.1. Концентрацией легирующих примесей в базовой области
p-n
перехода;
5.2. Концентрацией основных равновесных носителей в базовой
области
p-n перехода;
5.3. Концентрацией неосновных неравновесных носителей на
границе
p-n перехода;
5.4. Соотношением концентраций неосновных и основных носителей
на границе
p-n перехода;
5.5. Температурой окружающей среды и концентрацией основных
носителей на границе
p-n перехода;
5.6. Температурой окружающей среды и сопротивлением внешней
цепи.
6. Переключение диода из режима протекания стационарного
прямого тока в нейтральное состояние сопровождается:
6.1. Протеканием переходных токов сложной формы;
6.2. Практически линейным падением напряжения на
p-n переходе во
времени;
6.3. Формированием импульса напряжения сложной формы на
p-n
переходе;